Материалы, похожие на работу «Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова»

Кабардино - Балкарский Государственный Университет Курсовая работа Тема: "Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова." Выполнил ...
2r0-высота столба расплава у фронта кристаллизации:2rФ - диаметр отверстия в формообразователе; Р-давление, под которым расплав подается в отверстие формообразователя; Rо-радиус ...
Формообразователь выравнивает тепловое поле вблизи области столба расплава, экранирует тепловое поле расплава в тигле от теплового поля в столбе расплава и в растущем кристалле ... ...
Лицей современных технологий управления Реферат по физике Кристаллы и их свойства Выполнил: Проверил: Пенза 2001 Введение Кристаллические тела ...
Если раствор не насыщен или температура расплава выше температуры кристаллизации, то зародыши образуются и тут же растворяются или разрушаются тепловым движением.
Этого недостатка лишен бестигельный способ выращивания кристаллов из расплава, которым выращивают, например, корунд, (рубины, сапфиры)....
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
Промышленное получение полупроводниковых монокристаллов представляет собой выращивание близких к цилиндрической форме слитков, которые необходимо разделить на заготовки-пластины.
Из многочисленных способов разделения слитков на пластины (резка алмазными кругами с внутренней или наружной режущей кромкой, электрохимическая, лазерным лучом, химическим ... ...
... И УПРАВЛЕНИЯ ПЕРСОНАЛОМ СПЕЦИАЛЬНОСТЬ: МЕНЕДЖМЕНТ СПЕЦИАЛИЗАЦИЯ: УПРАВЛЕНИЕ ПЕРСОНАЛОМ К У Р С О В А Я Р А Б О Т А НА ТЕМУ: ТВЕРДЫЕ КРИСТАЛЛЫ
Если мы хотим подчеркнуть, что имеем дело с одиночным, отдельным кристаллом, то называем его монокристаллом, чтобы подчеркнуть что речь идет о скоплении многих кристаллов ...
Сегодня уже нет сомнений в том, что именно так растут кристаллы из паров, расплавов и из слабо пересыщенных растворов: рост облегчается тем, что в кристалле есть винтовые ... ...
смотреть на рефераты похожие на "Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6" СОДЕРЖАНИЕ Введение. 2 Основная часть. 4 1.1. Методы ...
Для выращивания монокристаллов можно использовать процессы кристаллизации из расплавов, из паровой фазы или из растворов кристаллизующегося вещества в соответствующем растворителе.
Поэтому наиболее производительные методы выращивания монокристаллов из расплавов и наиболее эффективные кристаллизационные методы их очистки не всегда применимы, вместо них ... ...
Московский Государственный Технический Университет им. Баумана Физико-химические основы технологии электронных средств Реферат на тему: Технология ...
Выращивание при разрежении позволяет частично очистить расплав кремния от летучих примесей за счет их испарения, а также снизить образование на внутренней облицовке печи налета ...
Кроме того, при больших массах расплава снижение стоимости становится незначительным за счет высокой стоимости кварцевого тигля и уменьшения скорости выращивания кристаллов из-за ... ...
Печатные платы — Реферат
Введение Термин "технология" происходит от двух греческих слов: ((((( - искусство, мастерство, умение и ((((( - наука. В производственных процессах он ...
Жесткость металлических дисков, как правило изготавливаемых из стальных холоднокатных лент, недостаточна для резания слитков на пластины, и удовлетворительное качество резания ...
а) - эпитаксия; б) - термическое оксидирование и фотолитография; в) - локальное травление; г) - удаление SiO2 -маск, осаждение SiO2 -пленки; д) - выращивание поликристаллического ... ...
... ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РЕФЕРАТ ПО ПРЕДМЕТУ КОНЦЕПЦИЯ СОВРЕМЕННОГО ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ НА ТЕМУ "СИММЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ" Выполнила студентка: ЧАЙКА В
Если мы хотим подчеркнуть, что имеем дело с одиночным, отдельным кристаллом, то называем его монокристаллом, чтобы подчеркнуть что речь идет о скоплении многих кристаллов ...
Если в кристаллическом агрегате отдельные кристаллы почти не огранены, это может объяснятся тем, что кристаллизация началась одновременно во многих точках вещества и скорость ее ... ...
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ СТАЛИ И СПЛАВОВ РЕФЕРАТ "Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства ...
Исследования бездислокационных монокристаллов кремния, легированных германием в интервале 1,5*1019-1.9*1020 см-3, показало, что распределение германия в этих кристаллах является ...
При выращивании из расплава в них не проявляется сегрегация составляющих элементов, что, возможно, позволит сразу же, практически без вмешательства в имеющиеся технологии ... ...
Содержание ВВЕДЕНИЕ 3 Тепловые и механические свойства твёрдых тел I. Симметрия кристаллов 1.1 Как растут кристаллы 5 1.2 Идеальная форма кристаллов 7 ...
Особое место среди них занимают монокристаллы полупроводников, получаемые обычно в наземных условиях кристаллизацией из расплавов в специальных высокотемпературных печах, после ...
Этот способ часто применяется для выращивания кристаллов цинка, серебра, алюминия, меди и других металлов, а также хлористого натрия, бромистого калия, фтористого лития и других ... ...
Распределение Fe2+/Mg отношения в системе расплав - шпинель - оливин (по опубликованным экспериментальным данным); неравновесность составов оливин ...
Кроме того, можно указать и на то, что при кристаллизации, гибридизме, остывании расплавов и последующих метаморфических преобразованиях пород происходит изменение составов стекол ...
Однако подобный механизм образования кристаллов алмаза для месторождения Кумды-Коль маловероятен, так как подобным способом можно получить только поликристаллические агрегаты на ... ...
Кристаллы — Реферат
С древнейших времен кристаллы поражали человеческое воображение своим исключительным геометрическим совершенством. Наши предки видели в них творение ...
С древнейших времен кристаллы поражали человеческое воображение своим исключительным геометрическим совершенством.
Перейдем сразу к обзору методов выращивания монокристаллов.
Метод получения таких изделий основан на широко используемом способе получения монокристаллов - кристаллизации из водных растворов....
Кремний, полученный с использованием" геттерирования расплава . В бездефектной технологии изготовления ИС для уменьшения влияния термодефектов ...
Активное воздействие на дефекты и примеси предполагает легирование монокристаллов в процессе их выращивания добавками, оказывающими влияние на свойства, состав расплава и твердого ...
Характер распределения Ti, Zr и Hf в монокристаллах вдоль оси роста аналогичен наблюдавшемуся ранее для щелочноземельных металлов в германии и кремнии, а также для примеси хрома в ... ...
Кремний, полученный с использованием" геттерирования расплава. В бездефектной технологии изготовления ИС для уменьшения влияния термодефектов ...
Активное воздействие на дефекты и примеси предполагает легирование монокристаллов в процессе их выращивания добавками, оказывающими влияние на свойства, состав расплава и твердого ...
Характер распределения Ti, Zr и Hf в монокристаллах вдоль оси роста аналогичен наблюдавшемуся ранее для щелочноземельных металлов в германии и кремнии, а также для примеси хрома в ... ...
Современная оптоэлектроника Оглавление 1 Введение. 3 2 Литературный обзор. 4 2.1 Соединения со структурой силленита. 4 2.1.1 Структура германата ...
Наибольшую известность среди соединений этого класса приобрели силикаты и германаты висмута для которых разработана технология выращивания крупных монокристаллов и достаточно полно ...
Для изготовления подложек, монокристаллы германосилленита распиливали алмазным диском с наружной режущей кромкой перпендикулярно оси роста кристалла на пластины толщиной 1 ` 1,5 мм ... ...
... Новгородский Государственный университет им. Ярослава Мудрого Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники "РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ
Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла.
Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или ... ...
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ на курсовую работу по дисциплине "Физико-химические основы технологии микроэлектроники" Студенту гр. 7033 Родину Н.Е. 1 ...
Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла.
Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или ... ...
Современная оптоэлектроника Оглавление 1 Введение. 3 2 Литературный обзор. 4 2.1 Соединения со структурой силленита. 4 2.1.1 Структура германата ...
Наибольшую известность среди соединений этого класса приобрели силикаты и германаты висмута для которых разработана технология выращивания крупных монокристаллов и достаточно полно ...
Для изготовления подложек, монокристаллы германосилленита распиливали алмазным диском с наружной режущей кромкой перпендикулярно оси роста кристалла на пластины толщиной 1 ` 1,5 мм ... ...
Кремний — Реферат
Министерство общего и профессионального образования Новосибирский Государственный Технический университет. РГР по Органической Химии. "КРЕМНИЙ ...
При вращении монокристаллов пользуются методом Чохральского, заключающимся в следующем: в расплавленный материал опускают стержень, на конце которого имеется кристалл данного ...
0,57*10-6 см/ °С. Разработана экономически выгодная технология выращивания монокристаллов синтетический К., который получают из водных растворов SiO2 при повышенных давлениях и ... ...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru