Материалы, похожие на работу «Современная оптоэлектроника»

Современная оптоэлектроника Оглавление 1 Введение. 3 2 Литературный обзор. 4 2.1 Соединения со структурой силленита. 4 2.1.1 Структура германата ...
Изготовление подложек из монокристаллов Bi12GeO20 и подготовка поверхности подложек к эпитаксии.
Данная работа посвящена выращиванию плёнок силленитов (в частности Bi12GeO20 легированного Cr2O3) на подложках Bi12GeO20 и изучению некоторых их свойств....
Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
Процесс осаждения защитной плёнки на полупроводниковые кристаллы с pn-переходами проводят в кварцевой трубе, в одном конце которого помещают материал источника, например Al2O3 , а ...
Кристаллы с напылённым защитным слоем выдерживают в течение нескольких минут при комнатной температуре до полного испарения растворителя, а затем нагревают до 200 С. В результате ... ...
Содержание ВВЕДЕНИЕ 3 Тепловые и механические свойства твёрдых тел I. Симметрия кристаллов 1.1 Как растут кристаллы 5 1.2 Идеальная форма кристаллов 7 ...
Особое место среди них занимают монокристаллы полупроводников, получаемые обычно в наземных условиях кристаллизацией из расплавов в специальных высокотемпературных печах, после ...
Волны, возникающие в кристалле, имеют определённую длину, которая зависит от размеров кристалла и его упругих свойств....
Содержание 1. Введение 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 2.1. Назначение подложек 2.2. Кремний - основной материал полупроводникового ...
Классификация методов очистки пластин и подложек
Несмотря на высокую эффективность очистки в органических растворителях, технология такого обезжиривания связана с определенными трудностями (многократная очистка, большой расход ... ...
Содержание Стр. 1. Введение 2 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 3 2.1. Назначение подложек 3 2.2. Кремний - основной материал ...
Классификация методов очистки пластин и подложек 8
Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов ... ...
Министерство Путей Сообщения Московский Государственный Университет Путей Сообщения (МИИТ) РЕФЕРАТ Волоконно Оптические Линии Связи Преподаватель ...
Техническим условием нарастания данного процесса в свою очередь является наличие оптического объемного резонатора, такого, какой получался в описанном выше твердотельном лазере при ...
Для этой цели подходят монокристаллы дигидрофосфат аммония и дигидрофосфат калия , коротко они обозначаются как ADP или KDP кристаллы....
Московский Государственный Технический Университет им. Н. Э. Баумана Калужский филиал КАФЕДРА МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ И МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ...
При вытягивании кристаллов индия по методу Чохральского эффективная очистка происходит при выращивании кристаллов с большими скоростями вращения затравки (60-100 об/мин) и ...
Эпитаксиальное наращивание пленок арсенида индия проводится на одноименные подложки, расположенные за вторым источником....
Министерство общего и профессионального образования РФ СЫКТЫВКАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Физический факультет Кафедра физики твердого тела ...
При прохождении монохроматического света через кристалл в тот момент, когда длина его волны (его энергия) будет соответствовать разности энергетических уровней иона в кристалле ...
где N - число коллоидных частиц в единице объема, V - объем одной частицы, l - длина волны в растворителе, n0 - показатель преломления растворителя, n1 - комплексный показатель ... ...
Фуллерены — Реферат
Курсовая работа по "Материалам и компонентам электронной техники" на тему: Фуллерены Выполнил: Neur0_13[z_c0m] студент группы xxxx/x СПбГПУ, 2004 г ...
1991 г. измерялись спектры оптического поглощения, эллипсометрические спектры пленок и монокристаллов.
Урбаховский хвост в поглощении кристаллов обычно меньше, чем на пленках, однако сообщалось и об обратном....
Печатные платы — Реферат
Введение Термин "технология" происходит от двух греческих слов: ((((( - искусство, мастерство, умение и ((((( - наука. В производственных процессах он ...
Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла.
Полупроводниковые пластины в химически инертных кассетах, например из фторопласта, погружают в ванну с наименьшим уровнем и по мере очистки последовательно переносят в ванны с ... ...
Лицей современных технологий управления Реферат по физике Кристаллы и их свойства Выполнил: Проверил: Пенза 2001 Введение Кристаллические тела ...
Монокристаллы ряда элементов и многих химических веществ обладают замечательными механическими, электрическими, магнитными и оптическими свойствами.
Недостатком методов выращивания кристаллов из раствора является возможность загрязнения кристаллов частицами растворителя....
Министерство Путей Сообщения Московский Государственный Университет Путей Сообщения (МИИТ) РЕФЕРАТ Волоконно Оптические Линии Связи [pic ...
Техническим условием нарастания данного процесса в свою очередь является наличие оптического объемного резонатора, такого, какой получался в описанном выше твердотельном лазере при ...
Для этой цели подходят монокристаллы дигидрофосфат аммония [pic] и дигидрофосфат калия [pic], коротко они обозначаются как ADP или KDP кристаллы....
Содержание. 0. Содержание 1. Исторические сведения 2. Распространение в природе. Характеристика природных соединений (минералов) 3. Способы получения ...
Наиболее широко они используются для выращивания эпитаксиальных плёнок полупроводниковых соединений на монокристаллических подложках у германия, кремния и других полупроводников.
... на галлий и т.д. Для получения мелких монокристаллов и плёнок фосфида пользуются реакциями в газовой фазе, такими как взаимодействие паров фосфора с закисью (ее пары получаются при ... ...
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ УКРАИНЫ СУМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра физической электроники РЕФЕРАТ по курсу: ''ЭДСС'' на тему ...
ЦМД одноосная анизотропия возникает в процессе технологии изготовления пленок и обусловлена механическими напряжениями, которые появляются из-за неполного соответствия постоянных ...
= 0,45 мкм их оптические свойства выше свойств MnBi-пленок....
смотреть на рефераты похожие на "Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6" СОДЕРЖАНИЕ Введение. 2 Основная часть. 4 1.1. Методы ...
Поэтому наиболее производительные методы выращивания монокристаллов из расплавов и наиболее эффективные кристаллизационные методы их очистки не всегда применимы, вместо них ...
Все методы выращивания монокристаллов из паровой фазы (в виде пленок или объемных кристаллов) можно разделить на три большие группы, отличающиеся методом доставки атомов от ... ...
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
Материал подложки в процессе выращивания играет роль затравочного кристалла, а получаемая пленка является продолжением ее структуры.
Качество напыленных пленок зависит от степени очистки, температуры подложки, а также от скорости испарения, вакуума, геометрии системы и др....
Современные оптоволоконные кабели Реферат Москва 2006 Введение Человек издавна использовал свет в качестве источника сигналов, например маяки, костры ...
Техническим условием нарастания данного процесса в свою очередь является наличие оптического объемного резонатора, такого, какой получался в описанном выше твердотельном лазере при ...
Для этой цели подходят монокристаллы дигидрофосфат аммония (NH4H2PO4) и дигидрофосфат калия (KH2PO4), коротко они обозначаются как ADP или KDP кристаллы....
Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок. Введение. Эпитаксиальный арсенид индия - перспективный материал ...
При вытягивании кристаллов индия по методу Чохральского эффективная очистка происходит при выращивании кристаллов с большими скоростями вращения затравки (60-100 об/мин) и ...
Эпитаксиальное наращивание пленок арсенида индия проводится на одноименные подложки, расположенные за вторым источником....
МИРЭА(ТУ) РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Работы выполнил: Семенов Д.А. РР-2-97 План. 1. Роль тонкопленочной технологии в ...
В зависимости от конкретных условий осаждения пленки одного и того же вещества могут иметь следующие основные структурные особенности: аморфную структуру, характеризующуюся ...
с целью получения окисных пленок; полимеризацию органических пленок в местах, облученных электронами, с целью получения органических изоляционных слоев; очистку и полировку ... ...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru