Материалы, похожие на работу «Разработка анализатора газов на базе газового сенсора RS 286-620»

Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
Стабильность параметров и надежность полупроводниковых приборов, герметизированных полумерами , определяются изменениями, которые происходят на поверхности полупроводника при ...
Температура нагревателя поддерживается равной 800 с. Скорость пропускания газовой смеси над пластинами с р-ппереходами выбирают от 50 до 60 м/ч. Толщина изолирующей плёнки 25 000 А ... ...
Министерство образования Российской Федерации Нижегородский государственный технический университет Дзержинский филиал Факультет Химико-механический ...
Таким образом получаем еще одно подтверждение перспективности использования поверхностноакустических датчиков в качестве газовых сенсоров низких концентраций.
Так как данный сенсор разрабатывается для анализа состава атмосферного воздуха на предмет наличия в нем вредных газовых примесей, то при разработке сенсора приходится иметь дело с ... ...
Министерство образования Российской Федерации Нижегородский государственный технический университет Дзержинский филиал Кафедра Автоматизация ...
Таким образом получаем еще одно подтверждение перспективности использования поверхностно-акустических датчиков в качестве газовых сенсоров низких концентраций.
Так как данный сенсор разрабатывается для анализа состава атмосферного воздуха на предмет наличия в нем вредных газовых примесей, то при разработке сенсора приходится иметь дело с ... ...
ВВЕДЕНИЕ Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми ...
2 Функции логического контроля запрограммированных микросхем при отсутствии эталонного образца;
Механические включения Загрязненность фоторезиста или воздушной среды помещения Очистить фоторезист и воздух помещения от примесей...
СОДЕРЖАНИЕ Введение 4 1 Обоснование технических решений 6 2 Конструкторская часть 8 2.1 Назначение 8 2.2 Принцип действия 8 2.3 Конструкция печатной ...
2. Функции логического контроля запрограммированных микросхем при отсутствии эталонного образца;
|воздушной среды |примесей |...
Министерство образования Российской Федерации Уфимский государственный нефтяной технический университет Кафедра Автоматизации химико-технологических ...
Первичные приборы (датчики) могут преобразовывать измеряемый параметр в какой-либо унифицированный сигнал.
В зависимости от класса точности приборы делятся на эталонные...
Разработка термокаталитического сенсора для определения природного газа и бензина в газовых средах Мельник Александр Вадимович Автореферат диссертации ...
В связи с этим актуальны исследования, направленные на разработку, создание новых высокоэффективных и совершенствование существующих методик анализа, приборов, сенсоров ...
Способ приготовления и аттестации поверочных стандартных газовых и парогазовых смесей в широком диапазоне их концентраций с целью оценки: метрологических характеристик ... ...
Министерство образования Российской Федерации Магнитогорский Государственный Технический Университет им Г.И. Носова Кафедра Промышленной Кибернетики и ...
Для определения концентрации молекулярного кислорода в газовых смесях с помощью приборов, принцип действия которых основан на потенциометрическом методе, в основном используют ...
- резистор; 1 - магнитные наконечники; 3 - термоанемометр; 4 - измерительная камера; 5 - нагреватель; 6 - измерительный прибор; 7 - источник питания; S - усилитель...
... Новгородский Государственный университет им. Ярослава Мудрого Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники "РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ
Часто при поиске распределения концентрации примеси в полупроводнике необходимо решение уравнения (11) для полубесконечного твердого тела.
Эту особенность данного процесса используют в полупроводниковой технологии для получения контролируемых значений низкой поверхностной концентрации примеси, например, для создания ... ...
... по дисциплине "Физико-химические основы технологии микроэлектроники" Студенту гр. 7033 Родину Н.Е. 1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка ...
Часто при поиске распределения концентрации примеси в полупроводнике необходимо решение уравнения (11) для полубесконечного твердого тела.
Эту особенность данного процесса используют в полупроводниковой технологии для получения контролируемых значений низкой поверхностной концентрации примеси, например, для создания ... ...
Министерство Образования и Науки Украины Национальная Металлургическая Академия Украины Технологический факультет Реферат на тему: ?Полупроводниковые ...
Каждый атом донорной примеси вносит один электрон проводимости, следовательно, чем больше донорных атомов в каждом кубическом сантиметре полупроводника, тем больше концентрация их ...
3.4.Холодильники и нагреватели важной особенностью, открывающей широкие перспективы применения полупроводников, является получение с их помощью холода и тепла более экономичными ... ...
РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ И ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ" Введение. Каждое вещество может находится в ...
Часто при поиске распределения концентрации примеси в полупроводнике необходимо решение уравнения (11) для полубесконечного твердого тела.
Эту особенность данного процесса используют в полупроводниковой технологии для получения контролируемых значений низкой поверхностной концентрации примеси, например, для создания ... ...
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГЕОДЕЗИИ И КАРТОГРАФИИ КУРСОВАЯ РАБОТА ПО СХЕМОТЕХНИКЕ ТЕМА: "ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ" ВЫПОЛНИЛИ ...
Влияние температуры на электрофизические параметры полупроводников в основном проявляются в изменении концентрации носителей заряда, что приводит к соответствующему изменению ...
В качестве полупроводниковых датчиков температуры также используются диоды и транзисторы, где изменение концентрации носителей заряда приводит к изменению тока, протекающего через ... ...
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации Ангарский Государственный Технологический Институт Факультет технической ...
На основе эффекта Джозефсона и явлений в контактах сверхпроводник- полупроводник могут быть разработаны высокочувствительные датчики, измеряющие напряжения 10-16 В, видеодетекторы ...
Вымораживание примеси в полупроводнике при уменьшении тепловой энергии решетки ниже энергии ионизации примеси, устранение собственной проводимости в узкозонных полупроводниках ... ...
РЕФЕРАТ Пояснительная записка к дипломному пpоекту "Разpаботка макета системы персонального вызова" содеpжит листов, иллюстpаций, таблиц ...
Магнитодиод представляет собой полупроводниковый прибор с p-n переходом и невыпрямляющими контактами, между которыми находится область высокоомного полупроводника.
Taк как магнитоpезистоpы остаются все еще довольно дефицитным полупpоводниковым пpибоpом и пpиобpести их для пpоведения исследований не пpедставляется возможным, то в дальнейшем в ... ...
Московский Государственный Технический Университет им. Баумана Физико-химические основы технологии электронных средств Реферат на тему: Технология ...
При этом атомы примеси, находящиеся в положении замещения, создают энергетические уровни в запрещенной зоне полупроводника.
Образующаяся в процессе синтеза ТХС парогазовая смесь поступает в зону охлаждения, где ее быстро охлаждают до 40 -130 °С, в результате чего выделяются в виде пыли твердые частицы ... ...
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
Формирование самой структуры прибора происходит при групповой обработке, которая состоит из процессов окисления, диффузии примесей, эпитаксии, вакуумного напыления, фотолитографии ...
В этом случае концентрация введенной примеси оказывается рав ной концентрации исходной примеси Nисх в полупроводнике....
СОДЕРЖАНИЕ: 1. Введение. 2 2. Основные определения. 2 3. Отличительные особенности оптронов. 2 4. Обобщенная структурная схема. 3 5. Применение. 4 6 ...
Рекомбинация носителей заряда в полупроводнике определяется прежде всего его зонной диаграммой, наличием и природой примесей и дефектов, степенью нарушения равновесного состояния.
Образование свободных носителей заряда под действием облучения проявляется в полупроводнике в виде двух фотоэлектрических эффектов: фотопроводимости (возрастание проводимости ... ...
Московский ордена Ленина, ордена Октябрьской Революции и ордена Трудового Красного Знамени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени Н.Э.Баумана ...
В данном реферате обсуждаются датчики газового состава, то есть речь идет об обработке информации о составе газовой смеси.
Измерение интенсивности электромагнитного излучения, поглощаемого газовой смесью, зависит от природы газа и позволяет, таким образом, определить концентрацию данного газа в смеси....
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru