Материалы, похожие на работу «История развития электроники»

1. Зонная модель полупроводника. К полупроводникам (ПП) относятся вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное ...
Многоэлектродные лампы (МЛ) - это электронные лампы с общим электронным потоком, содержащие анод, катод и сетки.
Интегральные микросхемы....
Государственный комитет российской федерации по высшему образованию Нижегородский технический колледж Лаборатория современного технического офисного ...
Принцип действия монитора на базе электронно-лучевой трубки мало отличается от принципа обычного телевизора и заключается в том, что созданный катодом (электронной пушкой) пучок ...
Довольно просто: миниатюрный кристаллик полупроводника закреплен на металлической подложке....
ВВЕДЕНИЕ Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми ...
Принцип необратимого изменения связей в интегральных микросхемах электрическим способом был впервые реализован фирмой Radiation (США) в 1996 г. в запоминающей матрице постоянного ...
Регистр сигналов адреса включает в себя 2 микросхемы (DD6 и DD7) типа КР580ВВ55 и 20 формирователей сигналов, выполненных на логических микросхемах и транзисторах....
СОДЕРЖАНИЕ Введение 4 1 Обоснование технических решений 6 2 Конструкторская часть 8 2.1 Назначение 8 2.2 Принцип действия 8 2.3 Конструкция печатной ...
Принцип необратимого изменения связей в интегральных микросхемах электрическим способом был впервые реализован фирмой Radiation (США) в 1996 г. в запоминающей матрице постоянного ...
КР580ВВ55 и 20 формирователей сигналов, выполненных на логических микросхемах и транзисторах....
... и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие для ...
Полупроводники, в которых концентрация свободных электронов в зоне проводимости превышает концентрацию дырок в валентной зоне, называются полупроводниками, с электронной ...
В идеализированном транзисторе не учитывается эффект Эрли, поэтому интегральный коэффициент передачи тока...
Содержание: 1. Введение 2. Постановка задачи 2.1. Назначение системы 2.2. Анализ исходной проектной ситуации 2.3. Перечень основных функций ...
В то же время транзистор VT33 открыт, т.к. напряжение между подложкой и затвором равно около +5в.
Ток потечет через переход исток-сток транзистора VT1, резистор R33 и вход испытуемой микросхемы....
Государственный комитет Российской Федерации по высшему образованию. [pic] Кафедра общей физики. Реферат на тему: "Дифракция электронов. Электронный ...
Так в первую очередь ведут себя электроны во многих приборах и устройствах, широко применяющихся не только в науке и технике, но и в быту ( в электронных лампах, кинескопах и ...
Эмиссионная электронная микроскопия нашла широкое применение в исследованиях и разработках катодов электровакуумных приборов различного, в том числе радиолокационного применения, а ... ...
Содержание: Путь микроскопии 3 Предел микроскопии 5 Невидимые излучения 7 Электроны и электронная оптика 9 Электроны - волны!? 12 Устройство ...
Так в первую очередь ведут себя электроны во многих приборах и устройствах, широко применяющихся не только в науке и технике, но и в быту 3 в электронных лампах, кинескопах и ...
Эмиссионная электронная микроскопия нашла широкое применение в исследованиях и разработках катодов электровакуумных приборов различного, в том числе радиолокационного применения, а ... ...
Теория — Реферат
Введение Умение решать сложные научно-технические задачи ( основная функция современного инженера электронной техники. Научиться решать такие задачи ...
Умение решать сложные научно-технические задачи ( основная функция современного инженера электронной техники.
В основе работы большинства полупроводниковых приборов и активных элементов интегральных микросхем лежит использование свойств p-n-переходов.
Если при этом используется подложка n(типа, то эти электроны создают обогащенный слой, что препятствует образованию p-канала, поэтому у транзисторов с p-каналом требуется большее ... ...
Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
Для защиты кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, кристаллов и подложек гибридных микросхем от воздействий внешней среды, стабилизации параметров ...
Такие изделия электронной техники, как резистор, диоды, транзисторы, интегральные микросхемы, как правило, кавитационно не стойки и не допускают очистки с применением мощных ... ...
Введение Электронные, квантовые приборы и микроэлектронные изделия являются основой практически всех радиоэлектронных и коммуникационных устройств и ...
Отличия параметров и характеристик интегрального n-p-n транзистора от дискретного определяются расположением всех трех выводов на одной поверхности, а также влиянием подложки.
Гибридные интегральные микросхемы (микросборки) представляют собой комбинацию пленочных пассивных элементов и дискретных активных компонентов, расположенных на общей ... ...
КАЗАХСКО-АМЕРИКАНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭЛЕКТРОННЫЕ, КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Программа, методическое указание и контрольные задания (для ...
Основу биполярных полупроводниковых ИМС составляют n-p-n транзисторы. Отличия параметров и характеристик интегрального n-p-n транзистора от дискретного определяются расположением ...
Гибридные интегральные микросхемы (микросборки) представляют собой комбинацию пленочных пассивных элементов и дискретных активных компонентов, расположенных на общей ... ...
КАЗАХСКО-АМЕРИКАНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭЛЕКТРОННЫЕ, КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Программа, методическое указание и контрольные задания (для ...
Отличия параметров и характеристик интегрального n-p-n транзистора от дискретного определяются расположением всех трех выводов на одной поверхности, а также влиянием подложки.
Гибридные интегральные микросхемы (микросборки) представляют собой комбинацию пленочных пассивных элементов и дискретных активных компонентов, расположенных на общей ... ...
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПАМЯТИ И ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ Информация и память Мозг и машина Основные характеристики, классификация и ...
Современная электроника твердого тела в значительной степени является интегральной электроникой; в основе ее лежит принцип элементной (технологической) интеграции-изготовление на ...
Направление функциональной электроники, которое охватывает устройства и приборы, использующие явления возбуждения, распространения и взаимодействия акустических волн с электронами ... ...
Машинная память — Дипломная работа
Машинная память Ульяновский государственный технический университет Кафедра: "Вычислительная техника" Введение Внедрение в практику техники ...
Современная электроника твердого тела в значительной степени является интегральной электроникой; в основе ее лежит принцип элементной (технологической) интеграции-изготовление на ...
Направление функциональной электроники, которое охватывает устройства и приборы, использующие явления возбуждения, распространения и взаимодействия акустических волн с электронами ... ...
ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ 1. Особенности СВЧ микроэлектронных устройств В диапазон СВЧ микроэлектроника начала ...
Появились новые активные приборы, работающие в СВЧ диапазоне: диоды Ганна, лавиннопролетные диоды, СВЧ транзисторы, варакторы, туннельные и переключающие диоды и т. д. Эти приборы ...
Поэтому конструкция прибора и его рабочие характеристики в значительной степени зависят от основных параметров исходного материала подложки и технологического маршрута изготовления ... ...
... Российской Федерации Ангарский Государственный Технологический Институт Факультет технической кибернетики Кафедра промышленной электроники и ...
Точно так же, чтобы свести к минимуму шумы электронной лампы (то есть обеспечить беспрепятственное движение электронов от катода к аноду), необходимо обеспечить надлежащую ...
Причин, тормозивших ее развитие, было немало, прежде всего: недостаточная изученность электронных процессов в охлажденных структурах и пленках на базе твердого тела ... ...
Литография — Курсовая работа
ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Фотолитография. Введение. Оптическая литография объединяет в себе такие области науки, как ...
ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Существует ряд приборов, которые могут быть изготовлены только с помощью УФ литографии, поскольку применение высокоэнергетичных электронных пучков или рентгеновских лучей может ...
Сигнал совмещения сильно зависит от характеристик подложки, энергии электронного луча, композиции резиста и рельефа резистного покрытия над меткой....
... Российской Федерации Санкт-Петербургская государственная академия холода и пищевых технологий Кафедра электротехники ОСНОВЫ ЦИФРОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
подложки), размеры такой интегральной микросхе-мы могут быть значительно уменьшены по сравнению с размерами гибрид-ной интегральной микросхемы, в которой используются дискретные ...
В качестве электронных ключей применяют диоды, транзисторы, тиристоры и некоторые другие электронные приборы....
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru