Материалы, похожие на работу «ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ»

ВВЕДЕНИЕ Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми ...
а - заготовка платы из нефольгированного диэлектрика с технологическими отверстиями; б - негативный рисунок схемы проводников; в - плата с печатными проводниками; 1 - основание ...
В состав, которой входят трудоемкость на таких участках как химико - технологический участок (ХТУ), на котором осуществляется изготовление печатной платы; электро - монтажный ... ...
Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
Порошок стекла С-44-1 применяется для получения защитных диэлектрических плёнок в производстве гибридных и монолитных интегральных микросхем методом термического вакуумного ...
Плёнки из такого стекла имеют удельное объёмное сопротивление 1014-1016 Ом*см , дитэлектрическую проницаемость на частоте 102-108 Гц, равную 4, тангенс угла диэлектрических потерь ... ...
СОДЕРЖАНИЕ Введение 4 1 Обоснование технических решений 6 2 Конструкторская часть 8 2.1 Назначение 8 2.2 Принцип действия 8 2.3 Конструкция печатной ...
а - заготовка платы из нефольгированного диэлектрика с технологическими отверстиями; б - негативный рисунок схемы проводников; в - плата с печатными проводниками; 1 - основание ...
В состав, которой входят трудоемкость на таких участках как химико - технологический участок (ХТУ), на котором осуществляется изготовление печатной платы; электро - монтажный ... ...
Содержание: 1. Введение 2. Постановка задачи 2.1. Назначение системы 2.2. Анализ исходной проектной ситуации 2.3. Перечень основных функций ...
Если большинство радиодеталей можно проверить обычным омметром (как, например, резисторы или диоды), то для проверки интегральной микросхемы (ИМС) требуется гораздо больший ...
Данное устройство может с успехом применяться для проверки комплектующих микросхем на заводах, производящих их выпуск и сборку готовых изделий; в организациях, производящих ремонт ... ...
... Государственный Технический Университет Кафедра физики РЕФЕРАТ на тему: "Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном ...
У тонкопленочных структур (рис.6, б) эпитаксиальный активный слой GaAs 1 длиной [pic] может быть расположен между высокоомной подложкой 3 и изолирующей диэлектрической пленкой 2 ...
Это может быть достигнуто ограничением параметра [pic] диода, нагрузкой диода внешней цепью, выбором профиля легирования диода, уменьшением поперечного сечения или нанесением ... ...
Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме. Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована ...
В зависимости от параметров диода (степени и профиля легирования материала, длины и площади сечения образца и его температуры), а также от напряжения питания и свойств нагрузки ...
Это может быть достигнуто ограничением параметра диода, нагрузкой диода внешней цепью, выбором профиля легирования диода, уменьшением поперечного сечения или нанесением ... ...
на курсовой проект по дисциплине "Естественно-научные основы современных технологий" 1. Студенту курса группы . . 2. Тема проекта . . 3. В проекте ...
Появлению новых областей применения мощной СВЧ электроники способствует ряд специфических свойств электромагнитных колебаний этого диапазона частот, которые позволяют создать ...
Если резонатор полностью заполнен диэлектриком с высоким значением диэлектрической проницаемости ? и большими потерями, то резко падает его нагруженная добротность и согласовать ... ...
Современная оптоэлектроника Оглавление 1 Введение. 3 2 Литературный обзор. 4 2.1 Соединения со структурой силленита. 4 2.1.1 Структура германата ...
Технологический процесс эпитаксии заключается в выращивании на монокристаллической подложке слоев атомов, упорядоченных в монокристаллическую структуру, полностью повторяющую ...
... Al2O3, Fe2O3, B2O3, P205 и т.д.. Частичная или полная замена различных ионов силленитов позволяет изменять показатель преломления как плёнки, так и подложки в относительно широком ... ...
Содержание. Введение 1. Анализ возможности использования автодинов на полупроводниковых активных СВЧ-элементах для контроля параметров материалов и ...
В состав СВЧ толщиномера СИТ-40, предназначенного для измерения тонких плёнок из любого металла на изолирующей подложке и непроводящих покрытиях, в том числе разнообразных ...
Теоретическое описание характеристик выходного сигнала СВЧ- генератора на диоде Ганна основывалось на математическом описании процессов в многоконтурной эквивалентной схеме ... ...
Государственный комитет Российской Федерации по высшему образованию Саратовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. Н.Г ...
В состав СВЧ толщиномера СИТ-40, предназначенного для измерения тонких плёнок из любого металла на изолирующей подложке и непроводящих покрытиях, в том числе разнообразных ...
Теоретическое описание характеристик выходного сигнала СВЧгенератора на диоде Ганна основывалось на математическом описании процессов в многоконтурной эквивалентной схеме, элементы ... ...
МИРЭА(ТУ) РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Работы выполнил: Семенов Д.А. РР-2-97 План. 1. Роль тонкопленочной технологии в ...
В качестве подложек для гибридных ИС использую ситалл, фотоситалл, высокоглиноземистую и бериллиевую керамику, стекло, поликор, полиимид, а также металлы, покрытые диэлектрической ...
Высокая пористость пленок и появление системы металл - диэлектрическая смесь вызывают аномальное повышение удельного сопротивления (примерно в 200 раз по сравнению с ?- танталом) и ... ...
Прерывания по входу TRAP не может быть маскировано. Если маска прерываний не установлена, то на указанные маскируемые прерывания МП будет реагировать ...
Не допускается отслаивание проводников от диэлектрической основы и заполнение припоем отверстий диаметром большим 0,8 мм.
Наиболее важными электрическими свойствами печатных плат по постоянному току является нагрузочная способность проводников по току и сопротивление изоляции....
содержание Введение 3 1. Назначение и условия эксплуатации 5 2. Выбор варианта конструкции 6 3. Выбор материалов 8 4. Расчетная часть 16 4.1 ...
Для изготовления печатной платы нам необходимо выбрать следующие материалы: материал для диэлектрического основания печатной платы, материал для печатных проводников и материал для ...
При использовании микросхем повышение плотности монтажа достигается тем, что на общей изоляционной подложке располагаются в виде тонких пленок резисторы, проводники, обкладки ... ...
Усилители: конструкция и эксплуатация Введение В настоящее время усилители получили очень широкое распространение практически во всех сферах ...
Для изготовления печатной платы нам необходимо выбрать следующие материалы: материал для диэлектрического основания печатной платы, материал для печатных проводников и материал для ...
При использовании микросхем повышение плотности монтажа достигается тем, что на общей изоляционной подложке располагаются в виде тонких пленок резисторы, проводники, обкладки ... ...
... Ангарское Опытно Конструкторское Бюро Автоматики) Редакция текста: Шереметьев А.Н.(Ангарская Государственная Технологическая Академия) E-mail: andsh
Прообразом будущих микросхем послужила печатная плата, в которой все одиночные проводники объединены в единое целое и изготавливаются одновременно групповым методом путем ...
Тонкопленочная технология производства интегральных микросхем включает в себя нанесение в вакууме на гладкую поверхность диэлектрических подложек тонких пленок различных материалов ... ...
... Государственный Технический Университет Кафедра физики РЕФЕРАТ на тему: "Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном ...
В зависимости от параметров диода (степени и профиля легирования материала, длины и площади сечения образца и его температуры), а также от напряжения питания и свойств нагрузки ...
У тонкопленочных структур (рис.6, б) эпитаксиальный активный слой GaAs 1 длиной может быть расположен между высокоомной подложкой 3 и изолирующей диэлектрической пленкой 2 ... ...
1. Зонная модель полупроводника. К полупроводникам (ПП) относятся вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное ...
Гибридная микросхема (ГМ) выполняется на диэлектрической пластинке
Изоляция между элементами выполняется при помощи обратно включенных p-nпереходов, которые образуются между подложкой микросхемы и элементом....
Микроэлектроника — Дипломная работа
Микроэлектроника ВВЕДЕНИЕ Общие сведения о микроэлектронике Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько ...
... дискретная электроника полупроводниковых приборов, интегральная электроника микросхем (микроэлектроника), интегральная электроника функциональных микроэлектронных устройств ...
Гибридные микросхемы заняли доминирующее положение в схемах с большими электрическими мощностями, а также в устройствах СВЧ, в которых можно применять как толстопленочную ...
К ГИМ относятся: микросхемы с высокой точностью элементов и возможностью их подстройки, микросхемы значительной мощности, микросхемы частного применения, микросхемы СВЧ - диапазона ... ...
смотреть на рефераты похожие на "Разработка системы управления асинхронным двигателем с детальной разработкой программ при различных законах ...
Для предохранения печатных проводников от воздействия внешней среды при длительном хранении перед сборкой, на печатные платы наносят технологическое защитное покрытие, которое ...
При этом выводы резисторов, конденсаторов, диодов и микросхем не должны выходить за пределы отведенных для них контактных площадок....
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru