Материалы, похожие на работу «Технология получения монокристаллического Si»

Кремний — Реферат
Министерство общего и профессионального образования Новосибирский Государственный Технический университет. РГР по Органической Химии. "КРЕМНИЙ ...
Энергия связи Si-Si мала, 176 кдж/моль (42 ккал/моль); в отличие от углерода, для К. не характерно образование длинных цепей и двойной связи между атомами Si.
При вращении монокристаллов пользуются методом Чохральского, заключающимся в следующем: в расплавленный материал опускают стержень, на конце которого имеется кристалл данного ... ...
Печатные платы — Реферат
Введение Термин "технология" происходит от двух греческих слов: ((((( - искусство, мастерство, умение и ((((( - наука. В производственных процессах он ...
Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла.
BBr3) или фосфора (PCl3), то эпитаксиальный слой будет иметь уже не собственную, а примесную проводимость, поскольку в ходе химической реакции в кремний будут внедряться ... ...
Лицей современных технологий управления Реферат по физике Кристаллы и их свойства Выполнил: Проверил: Пенза 2001 Введение Кристаллические тела ...
Отличие реальных кристаллов от идеальных заключается в том, что реальные кристаллы не обладают правильной кристаллической решеткой, а имеют целый ряд нарушений в расположении ...
Это делается для того, чтобы на трубе не образовалась ржавчина, которая при попадании в растущий кристалл кварца может вызвать различные нежелательные дефекты монокристалла....
... И УПРАВЛЕНИЯ ПЕРСОНАЛОМ СПЕЦИАЛЬНОСТЬ: МЕНЕДЖМЕНТ СПЕЦИАЛИЗАЦИЯ: УПРАВЛЕНИЕ ПЕРСОНАЛОМ К У Р С О В А Я Р А Б О Т А НА ТЕМУ: ТВЕРДЫЕ КРИСТАЛЛЫ
Если мы хотим подчеркнуть, что имеем дело с одиночным, отдельным кристаллом, то называем его монокристаллом, чтобы подчеркнуть что речь идет о скоплении многих кристаллов ...
Сегодня уже нет сомнений в том, что именно так растут кристаллы из паров, расплавов и из слабо пересыщенных растворов: рост облегчается тем, что в кристалле есть винтовые ... ...
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации Кабардино-Балкарский Ордена Дружбы народов Государственный Университет им. Х ...
Однако если в структуре твердых кристаллов трихлорида гадолиния имеются как ближний, так и дальний порядок во взаимном расположении частиц, то в ионном расплаве сохраняется лишь ...
Данный факт объясняется тем, что увеличение объема ионного вещества при его плавлении происходит не за счет возрастания параметров "кристаллической решетки", а "дефектов" в ... ...
Кабардино - Балкарский Государственный Университет Курсовая работа Тема: "Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова." Выполнил ...
Были опробованы силицированный графит (смачивается кремнием и частично взаимодействует с ним), карбид кремния (взаимодействует с кремнием и смачивается расплавом германия ...
Формообразователь выравнивает тепловое поле вблизи области столба расплава, экранирует тепловое поле расплава в тигле от теплового поля в столбе расплава и в растущем кристалле ... ...
... Новгородский Государственный университет им. Ярослава Мудрого Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники "РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ
Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла.
В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов ... ...
... по дисциплине "Физико-химические основы технологии микроэлектроники" Студенту гр. 7033 Родину Н.Е. 1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка ...
Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла.
В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов ... ...
Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
Одним из способов повышения стабильности планарных приборов является выращивание поверх слоя двуокиси кремния слоя Si3N4 или стекла.
Нерастворимые в воде органические загрязнения делают поверхность гидрофобной, что препятствует её очистки от ионных и атомарных примесей, поэтому их удаление должно быть первым ... ...
смотреть на рефераты похожие на "Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6" СОДЕРЖАНИЕ Введение. 2 Основная часть. 4 1.1. Методы ...
3) условия введения в растущий кристалл легирующих примесей и зависимость их концентрации и распределения в объеме монокристалла от условий выращивания;
Поэтому наиболее производительные методы выращивания монокристаллов из расплавов и наиболее эффективные кристаллизационные методы их очистки не всегда применимы, вместо них ... ...
Содержание ВВЕДЕНИЕ 3 Тепловые и механические свойства твёрдых тел I. Симметрия кристаллов 1.1 Как растут кристаллы 5 1.2 Идеальная форма кристаллов 7 ...
4.6 Экспериментальные методы изучения дефектов кристаллов 33
Особое место среди них занимают монокристаллы полупроводников, получаемые обычно в наземных условиях кристаллизацией из расплавов в специальных высокотемпературных печах, после ... ...
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В.ЛОМОНОСОВА ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ ТРЕХ- И ЧЕТЫРЕХВОЛНОВОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА НА ПОЛЯРИТОНАХ В КРИСТАЛЛАХ ...
Кристаллы ниобата лития с вращательными слоями роста и закрепленными на них доменами выращивают путём вытягивания из расплава.
Для выращивания монодоменных кристаллов, которые имеют слои с однонаправленным вектором спонтанной поляризации, прикладывают небольшое напряжение к образцу....
Введение. Глава 1. Рассеяние света на равновесных поляритонах. (1 Рассеяние света в однородных кристаллах. 1.1 Дисперсионная кривая кристалла. 1.2 ...
Кристаллы ниобата лития с вращательными слоями роста и закрепленными на них доменами выращивают путём вытягивания из расплава.
Для выращивания монодоменных кристаллов, которые имеют слои с однонаправленным вектором спонтанной поляризации, прикладывают небольшое напряжение к образцу....
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. М.В.ЛОМОНОСОВА ФИЗИЧЕСКИЙ ФАКУЛЬТЕТ ТРЕХ- И ЧЕТЫРЕХВОЛНОВОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА НА ПОЛЯРИТОНАХ В КРИСТАЛЛАХ ...
Кристаллы ниобата лития с вращательными слоями роста и закрепленными на них доменами выращивают путём вытягивания из расплава.
Для выращивания монодоменных кристаллов, которые имеют слои с однонаправленным вектором спонтанной поляризации, прикладывают небольшое напряжение к образцу....
... ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РЕФЕРАТ ПО ПРЕДМЕТУ КОНЦЕПЦИЯ СОВРЕМЕННОГО ЕСТЕСТВОЗНАНИЯ НА ТЕМУ "СИММЕТРИЯ КРИСТАЛЛОВ" Выполнила студентка: ЧАЙКА В
Итак, кристаллами называются "все твердые тела, в которых слагающие их частицы (атомы, ионы, молекулы) расположены строго закономерно наподобие узлов пространственных решеток"[4 ...
Если мы хотим подчеркнуть, что имеем дело с одиночным, отдельным кристаллом, то называем его монокристаллом, чтобы подчеркнуть что речь идет о скоплении многих кристаллов ... ...
Кабардино - Балкарский Государственный Университет Курсовая работа Тема: "Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова." Выполнил ...
Формообразователь выравнивает тепловое поле вблизи области столба расплава, экранирует тепловое поле расплава в тигле от теплового поля в столбе расплава и в растущем кристалле ...
О выращивании кристаллов кремния различного профиля из кварцевого тигля с формообразователями из нитрида бора и борированного графита некототорые данные: диаметр отверстия в ... ...
Современная оптоэлектроника Оглавление 1 Введение. 3 2 Литературный обзор. 4 2.1 Соединения со структурой силленита. 4 2.1.1 Структура германата ...
В кристаллах Bi12GeO20 атомы кислорода связаны с атомами висмута и германия ионно - ковалентными связями из-за значительно большей электроотрицательности атома кислорода.
Процесс очистки подложки, по мнению [38], требует, чтобы были разорваны связи как между молекулами самой примеси, так и между молекулами этой примеси и подложки....
РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ И ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ" Введение. Каждое вещество может находится в ...
Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла.
В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов ... ...
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
Так, если в процессе эпитаксиального выращивания наряду с атомами полупроводника в росте пленки участвуют и атомы легирующего элементa, то на границе раздела пленка - подложка ...
Промышленное получение полупроводниковых монокристаллов представляет собой выращивание близких к цилиндрической форме слитков, которые необходимо разделить на заготовки-пластины....
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru