Материалы, похожие на работу «Электронные цепи и приборы (шпаргалка)»

ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ Автор: Терлецкая Л.И. (Ангарское Опытно Конструкторское Бюро Автоматики) Редакция текста: Шереметьев А.Н.(Ангарская ...
При высоком вакууме разряжение газа между электродами таково, что длина свободного пробега электронов значительно превосходит расстояние между электродами, поэтому при ...
К коллектору прикладывается обратное напряжение, достаточно большое для того чтобы ток коллектора был равным или больше тока эмиттера(Ik ?...
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПАМЯТИ И ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ Информация и память Мозг и машина Основные характеристики, классификация и ...
Кроме того, управляемый ток в полевом транзисторе - это ток основных носителей заряда, который гораздо лучше реагирует на быстрые внешние сигналы.
При физической интеграции носителем информации является не состояние некоторой схемы, созданной на основе традиционных элементов (транзисторов, диодов, резисторов и т. д.), а ... ...
1. Механическое движение. Материальная точка. Механическим движением тела называется изменение его положения в пространстве относительно других тел с ...
Такой способ включения называется запирающим, а ток, текущий в диоде - обратным.
Если подключить катод к положительному выводу батареи, а анод - к отрицательному, то поле внутри диода будет смещать электроны к катоду, и тока не будет....
Аннотация. В дипломном проекте рассмотрен электретный эффект в пленках фторопластата - 4 толщиной 10 мкм с односторонней металлизацией алюминием ...
Предэкспоненциальный множитель определяет время пролета электрона через барьер, второй обратно пропорционален вероятности термической активации носителя.
Здесь - напряжение поляризации, S - площадь мембраны, ? - круговая частота, - модуль полного акустико-механического сопротивления капсюля, h - рабочий зазор между мембраной и ... ...
ТИРИСТОРЫ И НЕКОТОРЫЕ ДРУГИЕ КЛЮЧЕВЫЕ ПРИБОРЫ 1. ЧЕТЫРЕХСЛОЙНЫЕ р-п-р-п СТРУКТУРЫ Наряду с приборами, дающими возможность осуществлять линейное ...
Другими словами, полярность приложенного к условному транзистору напряжения такова, что средний р-п переход имеет смещение в обратном направлении и на нем падает почти все ...
Для транзистора, включенного по схеме с общим коллектором, усиление по току как отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока будет равно...
Введение Телевизионная техника применяется в различных областях человеческой деятельности - экономике, искусстве, военном деле и многих других ...
Когда напряжение на нем достигнет уровня около 1.2 В открывается транзистор VT1 и через ограничительный резистор R4 в базу транзистора VT2 поступает открывающий его ток, при этом ...
обратный ток через фотодиод при максимальном входном токе;...
[pic] Министерство науки и образования Республики Казахстан Технико-экономическая академия кино и телевидения Кафедра инженерных дисциплин КУРСОВАЯ ...
Под скоростью электрического тока понимают скорость распространения вдоль проводника электрического поля, под действием которого электроны (или другие носители тока) приходят в ...
U1=U2=U3=U=const. так как во всех случаях падение напряжения измеряют между одними и теми же точками. б) Сила тока в неразветвленной части цепи равна сумме сил токов, текущих в ... ...
Содержание. Введение 1 Теоритическая часть. 1.1. Электрический ток. Сила тока. Условия существования тока в цепи. 1.2. Электродвижущая сила (ЭДС ...
Под скоростью электрического тока понимают скорость распространения вдоль проводника электрического поля, под действием которого электроны (или другие носители тока) приходят в ...
где I - сила тока на данном участке, U - напряжение на участке цепи, t - время прохождения тока по участку цепи, q == It - электрический заряд (количество электричества ... ...
Введение В большинстве современных ЭВМ и цифровых устройствах различного назначения обработка информации происходит с помощью двоичного кода, когда ...
Если напряжение на входе А равно 0, то диод VD1 смещен в прямом направлении и напряжение U1 равно +0,6 В. Эта величина недостаточна для открывания диодов VD2 и VD3 и перехода база ...
Однако если на входе поддерживается напряжение логического 0, то ток i1 должен течь из входной клеммы элемента через насыщенный транзистор на землю....
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации Санкт-Петербургская государственная академия холода и пищевых технологий ...
Для переключения транзистора из режима отсечки в режим насыщения необходимо обеспечить определенный ток базы IБ'', для чего на эмиттерный переход требуется подать соответствующее ...
Глубокая отрицательная обратная связь по току в схеме дифференциального каскада обусловливает то обстоятельство, что коллекторный ток каждого из транзисторов не может превысить ток ... ...
Московский Государственный Открытый Педагогический Университет (физико-математический факультет) Физические основы работы современного компьютера ...
При работе в p-n переходе может наблюдаться его пробой при обратном напряжении, т.к. при росте обратного напряжения растет напряженность внутреннего поля перехода, ведущий к росту ...
При изменении окружающей температуры обратный ток нарушает стабильность работы транзистора., т.к. Iк = Iку + Iкбо....
Содержание Раздел 1. Электролиты. Электролиз. 1.1. Законы электролиза 1.2. Применение электролиза 2. Электрический ток в газах 2.1. Ионизация газов 2 ...
Если увеличить напряжение на аноде, ток увеличится, так как увеличится количество электронов движущихся в сторону катода и увеличивается скорость движения электронов.
Но ток увеличивается не до бесконечности, начиная с некоторого напряжения U сколько бы не увеличивать напряжение на аноде, величина тока в лампе остается постоянным, возникает ток ... ...
Содержание. Введение 1. Анализ возможности использования автодинов на полупроводниковых активных СВЧ-элементах для контроля параметров материалов и ...
Детекторный эффект наблюдается в СВЧ-усилителях на биполярных транзисторах, СВЧ-генераторах на лавинно-пролётных диодах (ЛПД), инжекционно-пролётных диодах (ИПД), туннельных диодах ...
Математическое моделирование процессов в генераторе на диоде Ганна позволило установить, что существование областей значений входных сопротивлений СВЧ-нагрузки, в которых их ... ...
Билет 1 1. 1. Механическое движение. Относительность движения. Система отсчета. Материальная точка. Траектория. Путь и перемещение. Равномерное ...
Так как Аст=дельтаq*(ЭДС), а полная Qполн=I^2(R+r)*дельтаt, то дельтаq*e=I^2*(R+r)*дельта t; дельтаq=I*дельта t. ЗНАЧИТ E=I(R+r) I=E/R+r. Сила тока в электрической цепи прямо ...
Отдельные электроны могут получать количество тепловой энергии, достаточное для того, чтобы "оторваться" от своего атома и получить возможность свободно перемещаться в кристалле ... ...
Шпаргалки по метрологии Томск, 2007 г. 1. Классификация измерений. Прямые, косвенные, совместные, совокупные. Измерение- нахожд.знач. ФВ опытным ...
Измеряемое напряжение подаётся на входное устройство, в котором напряжение приводится к некоторому номинальному пределу с помощью делителя напряжения и далее поступает на усилитель ...
Подавая на вход схемы напряжение u=Um*sinѭt, пропорциональное напряжению на нагрузке и напряжению Ri, пропорциональное току через нее i = Im sin(ѭt + ѭ), на выходе перемножителя с ... ...
Реферат. Пояснительная записка дипломного проекта на тему: "Разработка фотоприемного устройства ВОСПИ диапазона ДЦВ." Содержит: 88 страниц 11 таблиц ...
Использование общей параллельной отрицательной обратной связи позволяет получить очень хорошую стабильность режимов работы по постоянному току всех транзисторов, а также ...
U1(p) - напряжение на нагрузке ФД, т. е. комплексном сопротивлении по переменному току, действующему между базой входного транзистора и общим проводом....
Министерство образования Российской Федерации ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра ...
Так как значения выходного напряжения и тока высокие, то с целью максимального использования выходного транзистора усилителя по мощности, на выходе усилителя следует установить ...
Стабилизация положения точки покоя осуществляется параллельной отрицательной обратной связью по напряжению, снимаемой с коллектора транзистора....
Программа по физике в МГУ. Механика. 1.1.Кинематика. Механическое движение. Механическое движение тела- изменение его положения в пространстве ...
Протекающий в проводнике ток прямо пропорционален приложенному напряжению и обратно пропорционален сопротивлению проводника.
Носителями электронного тока в вакууме являются электроны и другие заряженные частицы....
Государственный комитет Российской Федерации по высшему образованию Саратовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. Н.Г ...
Детекторный эффект наблюдается в СВЧ-усилителях на биполярных транзисторах, СВЧ-генераторах на лавинно-пролётных диодах (ЛПД), инжекционно-пролётных диодах (ИПД), туннельных диодах ...
Математическое моделирование процессов в генераторе на диоде Ганна позволило установить, что существование областей значений входных сопротивлений СВЧ-нагрузки, в которых их ... ...
СОДЕРЖАНИЕ 1. Туннельный эффект 2. ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 2.1 Контакт металл-металл 2.2 ...
Пробоем называют резкое увеличение тока через переход в области обратных напряжений, превышающих напряжение, называемое напряжением пробоя.
Линией 1 показана вольт-амперная характеристика при туннелировании обычных электронов при Т=0 К. В этом случае туннельный ток обычных электронов начинается лишь при напряжении U=?g ... ...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru