Материалы, похожие на работу «Лекции - преподаватель Григорьев Владимир Калистратович»

ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ Автор: Терлецкая Л.И. (Ангарское Опытно Конструкторское Бюро Автоматики) Редакция текста: Шереметьев А.Н.(Ангарская ...
В 1963 г. Хофштейн и Хайман описали другую конструкцию полевого транзистора, где используется поле в диэлектрике, расположенном между пластиной полупроводника и металлической ...
Так в 1959 году Хорни проводя многочисленные опыты, сам отрабатывал технологию окисления и диффузии кремниевых пластин, чтобы найти оптимальную глубину диффузии бора и фосфора, и ... ...
... и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Учебное пособие для ...
Отличие барьера Мотта от барьера Шоттки состоит в том, что тонкий iслой создан между металлом М и сильно легированным полупроводником n+, так что получается структура М-i-n. В ...
Этот транзистор имеет структуру металл - диэлектрик - полупроводник и может быть двух типов: с индуцированным каналом (рисунок 4.4,а) и с встроенным каналом (рисунок 4.4,б). Если ... ...
Теория — Реферат
Введение Умение решать сложные научно-технические задачи ( основная функция современного инженера электронной техники. Научиться решать такие задачи ...
... вентильные свойства, которые необходимы для нормальной работы диодов и транзисторов, поэтому резкость границы играет существенную роль; в резком переходе концентрации примесей на ...
2.11, а, в электронике широко используются схемы усилителей на транзисторе с общей базой и общим коллектором (рис....
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
3. Технологическая схема изготовления n-р-n-эпитаксиально-планарного кремниевого транзистора: а - исходная эпитаксиальая структура, б - структура с защитной оксидной пленкой, в ...
На нерабочей стороне пластины оставляют структурнодеформированный слой толщиной 5-10 мкм, который обладает свойствами геттера, т. е. способностью поглощать пары и газы из корпуса ... ...
Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
Кремний взаимодействует с кислородом лучше, чем с азотом, поэтому даже незначительное количество кислорода в рабочих газах (N2 и Ar) приводит к образованию пленки окиси кремния ...
300 С в ткчение15 минут образуется стеклообразная плёнка толщиной 1 мкм, на поверхности которой разложением этилокремниевой кислоты наращивается плёнка окиси кремния, которую ... ...
Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме. Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована ...
Длина домена зависит от концентрации донорной примеси, а также от напряжения на диоде и при составляет 5-10 мкм.
В миллиметровом диапазоне толщина активной области диодов, работающих в доменных режимах, становится малой и преобладают ограничения электрического характера....
Печатные платы — Реферат
Введение Термин "технология" происходит от двух греческих слов: ((((( - искусство, мастерство, умение и ((((( - наука. В производственных процессах он ...
Промежуточным типом ИС являются совмещенные интегральные схемы, в которых транзисторы изготовляются в активном слое кремния, а пленочные резисторы и диоды - как и проводники на ...
... вертикальных боковых областей. а) Изопланарные процессы основаны на использовании кремниевых пластин с тонким (2 ( 3 мкм) эпитаксиальным слоем, селективного термического окисления ... ...
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПАМЯТИ И ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ Информация и память Мозг и машина Основные характеристики, классификация и ...
Для построения полупроводниковых ЗУ используются ИС на биполярных транзисторах и на полевых транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-транзисторы).
В истории микроэлектроники прогресс в технологии выражался в постепенном уменьшении размеров транзисторов от 25-50 мкм до 2-3 мкм (для серийно изготовляемых схем)....
Машинная память — Дипломная работа
Машинная память Ульяновский государственный технический университет Кафедра: "Вычислительная техника" Введение Внедрение в практику техники ...
Для построения полупроводниковых ЗУ используются ИС на биполярных транзисторах и на полевых транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-транзисторы).
В истории микроэлектроники прогресс в технологии выражался в постепенном уменьшении размеров транзисторов от 25-50 мкм до 2-3 мкм (для серийно изготовляемых схем)....
Московский Государственный Открытый Педагогический Университет (физико-математический факультет) Физические основы работы современного компьютера ...
Дальше на пластину наносится еще один защитный слой, на этот раз - светочувствительный, и происходит одна из ключевых операций - удаление в определенных местах ненужных участков ...
Поиски замены на роль изолирующей пленки на поверхности подложки идут давно, учитывая, что как и алюминий, диоксид кремния начинает сдавать в последнее время - при постоянном ... ...
СОДЕРЖАНИЕВведение1. Описание схемы для разработки2. Определение электрических параметров схемы3. Технологические этапы изготовления ИМС4 ...
Температурный интервал диффузии для кремния составляет 950 - 1300 °С. Кремниевые пластины размещают в высокотемпературной зоне диффузионной печи.
Таким образом, в локальных участках кремния происходит диффузия легирующей примеси и создаются области полупроводника с определенным типом проводимости.После первой фотолитографии ... ...
... Государственный Технический Университет Кафедра физики РЕФЕРАТ на тему: "Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном ...
Длина домена зависит от концентрации донорной примеси, а также от напряжения на диоде и при [pic]составляет 5-10 мкм.
В миллиметровом диапазоне толщина активной области диодов, работающих в доменных режимах, становится малой и преобладают ограничения электрического характера....
Кабардино - Балкарский Государственный Университет Курсовая работа Тема: "Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова." Выполнил ...
В данном случае трудно обеспечить постоянство поперечного сечения кристалла, но зато этот вариант способа Степанова можно легко применить для получения пластин кремния, соединений ...
При этом следует учитывать, что технология наиболее массовых типов германиевых диодов и транзисторов детально отработана применительно к этому стандартному исходному материалу, и ... ...
Технологические основы электроники Реферат 1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с ...
а - исходная пластина; б - избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в - осаждение поликристаллического кремния; г - шлифование и ...
Однако тонкие эпитаксиальные слои практически исключают возможность многократного образования окиси кремния за счет термического окисления, так как толщина слоя SiO2, необходимого ... ...
1. Введение Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца 19 века. При изобретении радио А.С. Поповым был применен ...
В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии.
8. Толщина диффузионного слоя hдс= мкм...
Кремний — Реферат
Министерство общего и профессионального образования Новосибирский Государственный Технический университет. РГР по Органической Химии. "КРЕМНИЙ ...
К. - полупроводник, находящий всё большее применение.
Специально легированный К. широко применяется как материал для изготовления полупроводниковых приборов (транзисторы, термисторы, силовые выпрямители тока, управляемые диоды ... ...
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1. Устройство полевого транзистора. 2. Схемы включения полевого транзистора. 3. Эквивалентная схема полевого транзистора. 4 ...
Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами - те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и ...
Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с ... ...
Содержание 1. Введение 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 2.1. Назначение подложек 2.2. Кремний - основной материал полупроводникового ...
Технический кремний, получаемый восстановлением двуокиси кремния SiO2 в электрической дуге между графитовыми электродами, содержит около 1% примесей и как полупроводник не может ...
Однослойные пластины кремния р- и n-типов получают резкой слитков монокристаллического кремния диаметром 50-150 мм на пластины толщиной 0,25-0,4 мм....
Содержание Стр. 1. Введение 2 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 3 2.1. Назначение подложек 3 2.2. Кремний - основной материал ...
Технический кремний, получаемый восстановлением двуокиси кремния SiO2 в электрической дуге между графитовыми электродами, содержит около 1% примесей и как полупроводник не может ...
Однослойные пластины кремния р- и n-типов получают резкой слитков монокристаллического кремния диаметром 50-150 мм на пластины толщиной 0,25-...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru