Материалы, похожие на работу «Литография высокого разрешения в технологии полупроводников»

Литография — Курсовая работа
ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Фотолитография. Введение. Оптическая литография объединяет в себе такие области науки, как ...
Из трех видов экспонирования (ЭЛ, рентгеновское и ионно-лучевое) ионный пучек имеет самую высокую эффективность, поскольку большая часть его энергии (90 %) может поглотиться ...
Другой проблемой ЭЛ- экспонирования (особенно с кварцевым шаблоном) является нагрев резиста, вызывающий искажение изображения, газовыделение из резиста, загрязняющее катод из LaB6 ... ...
ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Реферат по НИРС Выполнил : Тимофеев А. гр. ФТМ-61 КАЛУЖСКИЙ ФИЛИАЛ МОСКОВСКОГО ...
Из трех видов экспонирования (ЭЛ, рентгеновское и ионно-лучевое) ионный пучек имеет самую высокую эффективность, поскольку большая часть его энергии (90 %) может поглотиться ...
Другой проблемой ЭЛ- экспонирования (особенно с кварцевым шаблоном) является нагрев резиста, вызывающий искажение изображения, газовыделение из резиста, загрязняющее катод из LaB6 ... ...
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
Процесс ионного внедрения характеризуется энергией ионов, плотностью тока ионного пучка, дозой облучения.
На нерабочей стороне пластины оставляют структурнодеформированный слой толщиной 5-10 мкм, который обладает свойствами геттера, т. е. способностью поглощать пары и газы из корпуса ... ...
Печатные платы — Реферат
Введение Термин "технология" происходит от двух греческих слов: ((((( - искусство, мастерство, умение и ((((( - наука. В производственных процессах он ...
Процесс резания ускоряют частицы абразива, постепенно обновляемые в зазоре между металлическим диском и полупроводниковой пластиной.
... высокая скорость резания (до 40 мм/мин), хорошее качество обработки поверхности (8 класс шероховатости), малый разброс по толщине пластин ((20 мкм), небольшие отходы материала....
ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ Автор: Терлецкая Л.И. (Ангарское Опытно Конструкторское Бюро Автоматики) Редакция текста: Шереметьев А.Н.(Ангарская ...
После экспонирования удаляют либо облученные области при позитивном резисте, либо не облученные при негативном резисте.
Сканирование с фокусированным ионным лучом предназначено для получения топологии с размерами элементов от 0,03-0,3 мкм....
Технологические основы электроники Реферат 1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с ...
В отличие от фотолитографии, где экспонирование производится широкими коллимированными световыми пучками, рентгенолитография не располагает соответствующей "оптикой" и ...
При наличии зазора между шаблоном и подложкой это приводит к искажению размеров и смещению элементов рисунка, передаваемого в слой резиста....
1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией Рис. 1. Последовательность ...
В отличие от фотолитографии, где экспонирование производится широкими коллимированными световыми пучками, рентгенолитография не располагает соответствующей "оптикой" и ...
При наличии зазора между шаблоном и подложкой это приводит к искажению размеров и смещению элементов рисунка, передаваемого в слой резиста....
Содержание Введение Взаимодействие ионов с веществом Вторично-ионная эмиссия Оборудование ВИМС. Принцип действия установок. Установки, не ...
Электронный луч в ЭЛТ синхронизирован с первичным ионным пучком, и усиленным сигналом вторично-ионного детектора модулируются интенсивность электронного луча в ЭЛТ.
Размер облучаемой этими частицами области определяется ограничивающими диафрагмами на пути ионного пучка и обычно превышает 250 мкм....
ВВЕДЕНИЕ Получение достоверных результатов измерений как самих параметров лазеров, так и выходных характеристик лазерных приборов и систем имеет свою ...
где ( - коэффициент отражения пластины; ( - коэффициент пропускания входного окна камеры; l - расстояние от оси пучка излучения до оси вращения; ( - угол падения излучения на ...
1.5 мкм), видимых, УФ или рентгеновских лучах....
Государственный комитет российской федерации по высшему образованию Нижегородский технический колледж Лаборатория современного технического офисного ...
1 - фотополупроводниковый слой, 2 - электропроводная основа); б - распределение зарядов в носителе копии; в - экспонирование фотополупроводникового слоя (стрелками обозначены ...
Экспонирование в аппаратах переносного копирования с "посредником" в виде пластины производится статическим способом - отдельными кадрами; в аппаратах с "посредником" в виде ... ...
Московский институт стали и сплавов ( технологический университет) кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников Домашнее задание ...
Поиск заданной кристаллографической плоскости, определение угла разориентации поверхности торца слитка относительно неё и выведение поверхности отрезаемых от слитка пластин в ...
Если торец слитка совпадает с заданной кристаллографической плоскостью (111), то счетчик Гейгера, расположенный под углом 2? к падающему рентгеновскому пучку в плоскости падения ... ...
Революция в оптике (лазеры и их применения). Реферат выполнил студент 1 курса 3080 Мизев М. М. Новосибирская Государственная Академия Экономики и ...
Дальнейший прогресс в субмикронной литографии связан с применением в качестве экспонирующего источника света мягкого рентгеновского излучения из плазмы, создаваемой лазерным лучом.
В этом случае предел разрешения, определяемый длиной волны рентгеновского излучения (1= 0,01 - 0,001 мкм), оказывается просто фантастическим....
НТУУ "КПИ" РТФ Доклад тема: "Травление п/п ИМС" Выполнил: студент 2-го курса группы РТ-22 Кираль С. О. Kиев 2004 Введение Одним из определяющих ...
Он имеет ширину 0,25 мкм и технология его изготовления включает несколько литографических операций с разрешением 0,15 мкм.
Для создания достаточно широкого и плотного пучка ионов использовались различные типы ионных пушек с горячим катодом....
Аннотация. В дипломном проекте рассмотрен электретный эффект в пленках фторопластата - 4 толщиной 10 мкм с односторонней металлизацией алюминием ...
При использовании внешних электродов наличие воздушных зазоров (которые в случае приложенных к диэлектрику пластин имеют микроскопические размеры) значительно усложняет картину ...
... меньше по сравнению с ионами энергия (и как следствие гораздо большие разрушения материала), поэтому рассмотрим электризацию ионными пучками, как наиболее широко применяемую....
Калужский Филиал Московского Государственного Технического Университета им. Н. Э. Баумана Кафедра Материаловедения и Материалов Электронной Техники ...
Например, определение профиля концентрации примесей, присутствующих в малых количествах в поверхностной пленке толщиной свыше 5ОО А, удобно проводить при диаметре пучка, равном 100 ...
В сканирующей микрозондовой установке, где первичный ионный пучок малого диаметра разворачивается в растр по поверхности, можно работать в режиме, в котором система детектирования ... ...
Министерство Образования и науки Российской Федерации Благовещенский Государственный Педагогический Университет Реферат. Тема: Голография и ее ...
[pic] где d - диаметр диафрагмы, мкм; ?S - длина волны света, мкм; b - поперечный размер фотопластинки, мм; l - расстояние от диафрагмы до фотопластинки, м.
Ее недостаток - возникновение большого числа изображений, расположенных на оси, совпадающей с главным лучом пучка нулевого дифракционного порядка....
Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
К ионным загрязнениям относятся растворимые в воде соли, кислоты и основания, которые осаждаются на поверхности пластин из травильных и моющих растворов.
Удаление загрязнений с поверхности твёрдого тела физическими (механическим сдиранием, смывание потоком жидкости или газа, бомбардировкой электронными или ионными пучками ... ...
Структура и адгезионные свойства отверждённых эпоксидных смол СОДЕРЖАНИЕ | Введение........................ ......... |2 | |1. Структура и свойства ...
3-первичное возбуждение рентгеновских лучей; 4 - граница возбуждения рентгеновских лучей торможения; 5-область возбуждения вторичного
флюоресцентного) рентгеновского излучения; 6 - область рассеяния рентгеновских лучей и дифракция Косселя; 7-ток образца; 8 - возможное разрешение для рентгеновского ... ...
Типовые проверочные задания по дисциплине Технология и эксплуатация САПР 1 билет 1. Основные этапы технологии биполярных ИС. Базовый процесс ...
При использовании ЭЛЛ сокращается время экспонирования, исключается ряд критических операций, к примеру, многократное совмещение промежуточного фотошаблона.
При этом слой резиста наносят на поверхность, подвергающуюся локальной обработке, и облучают его через специально предназначенный для этих целей шаблон....
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru