Материалы, похожие на работу «Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин»

Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
Ориентацию или поиск заданной кристаллографической плоскости монокристалла и определение положения этой плоскости относительно торца слитка производят на специальном оборудовании ...
Отклонение торца слитка от кристаллографической плоскости (111) приводит к отклонению отраженного луча на матовом экране на расстояние l (рис....
... микросхем и их назначение 3 2.1. Назначение подложек 3 2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства 4 3. Виды загрязнений ...
Подготовка пластин, получаемых из слитков монокристаллического кремния, является одним из важнейших этапов производства ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков ...
Так как различные кристаллографические плоскости структуры кремния имеют разное значение [pic], то скорость травления зависит от ориентации пластин, а также от температуры....
Содержание 1. Введение 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 2.1. Назначение подложек 2.2. Кремний - основной материал полупроводникового ...
Подготовка пластин, получаемых из слитков монокристаллического кремния, является одним из важнейших этапов производства ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков ...
Так как различные кристаллографические плоскости структуры кремния имеют разное значение , то скорость травления зависит от ориентации пластин, а также от температуры....
Печатные платы — Реферат
Введение Термин "технология" происходит от двух греческих слов: ((((( - искусство, мастерство, умение и ((((( - наука. В производственных процессах он ...
Перед началом резки слиток необходимо прочно закрепить на неподвижном основании, причем очень важно обеспечить точное расположение слитка относительно полотен или дисков с тем ...
Держатель рабочего стола станка с помощью поворотной головки позволяет поворачивать слиток и устанавливать его относительно плоскости отрезного круга так, чтобы получить пластины с ... ...
Рентгеноструктурный и рентгеноспектральный анализ Реферат выполнила студентка II курса 2-ой группы Сапегина Н.Л. Министерство здравоохранения Украины ...
В качестве детекторов рентгеновского излучения, в зависимости от области спектра, с успехом используют сётчики Гейгера, пропорциональные, кристаллические и сцинтилляционные ...
Лучи от всех кристалликов, у которых плоскости с данным межплоскостным расстоянием dhk1 находятся в "отражающем положении", то есть удовлетворяют условию Вульфа - Брэгга, образуют ... ...
Кабардино - Балкарский Государственный Университет Курсовая работа Тема: "Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова." Выполнил ...
Затравку используют в форме пластины с заданной кристаллографической ориентацией.
Кремниевая монокристаллическая затравка представляла в сечении квадрат 3Х3 мм и имела кристаллографическую ориентацию [111]....
СОДЕРЖАНИЕ № Раздел 1. Введение 2. Рентгеновские спектры 3. Рентгеноспектральный анализ 3.1. Аппаратура для рентгеноспектрального анализа 3.2 ...
В качестве детекторов рентгеновского излучения, в зависимости от области спектра, с успехом используют сётчики Гейгера, пропорциональные, кристаллические и сцинтилляционные ...
Лучи от всех кристалликов, у которых плоскости с данным межплоскостным расстоянием dhk1 находятся в "отражающем положении", то есть удовлетворяют условию Вульфа - Брэгга, образуют ... ...
Кабардино - Балкарский Государственный Университет Курсовая работа Тема: "Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова." Выполнил ...
Кремниевая монокристаллическая затравка представляла в сечении квадрат 3Х3 мм и имела кристаллографическую ориентацию [111].
В основу технологии может быть положена известная схема процесса бестигельного вытягивания с пьедестала: верхний торец цилиндрического слитка большого диаметра оплавляется ... ...
... Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по дисциплине "Технология производства полупроводниковых ...
Методы защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов и пластин.
Основными способами защиты полупроводниковых приборов и микросхем являются нанесение защитных покрытий на поверхность полупроводниковых пластин и кристаллов и герметизация приборов ... ...
- 3 - _ГЛАВА 1. _я21.Применяемые обозначения. Некоторые формулы, связывающие я2перечисленные величины. 2Электромагнитная теория E - напряженность ...
2. Луч, вошедший в плоский торец световода, будет
родности полупроводниковых пластин, имеющих целью отбраковку...
Введение 1. Принципы волоконно-оптической гироскопии 1.1. Основные характеристики ВОГ 1.2. Принцип взаимности и регистрация фазы в ВОГ 1.3. Модель ...
Отражающие поверхности создаются путем полировки двух противоположных граней кристалла или путем скалывания по кристаллографическим плоскостям.
Важной характеристикой световода является числовая апертура NA, представляющая собой синус максимального угла падения лучей на торец световода, при котором в световоде луч на ... ...
ВВЕДЕНИЕ Получение достоверных результатов измерений как самих параметров лазеров, так и выходных характеристик лазерных приборов и систем имеет свою ...
6(1010 см/с) достигнута в ЭОПе "Пикохрон-1" за счет использования на отклоняющих пластинах СВЧ-напряжения (( = 3 см); соответственно при разрешающей способности (не экране) 5 лин ...
90( ориентацией кристаллографической оси составляет 80%), либо брюстеровскими поверхностями (например, брюстеровскими окнами в газоразрядных кюветах, брюстеровскими торцами ... ...
СОДЕРЖАНИЕ РАЗДЕЛ 1. ОБЩАЯ ЧАСТЬ. 1. Место ангиографической аппаратуры в решении задач улучшения диагностической помощи населению и принцип получения ...
Они могут использовать как роликовую пленку, так и плоские пластины рентгеновской пленки.
Одновременно с рентгеновским снимком осуществляется маркировка пленки, которая может производиться по выбору либо шестизначным числом, принимаемым от счетчика для нумерации кадров ... ...
Государственный комитет российской федерации по высшему образованию Нижегородский технический колледж Лаборатория современного технического офисного ...
Под действием лучей света полупроводниковый слой барабана изменяет электрический заряд.
Подобный экран состоит из двух стеклянных пластин, между которыми находятся жидкие кристаллы, которые могут изменять свою оптическую структуру и свойства в зависимости от ... ...
Лабораторная работа "Определение параметров материалов по данным рентгенографии" Цель работы: ознакомление с методами исследования материалов ...
Если кристалл имеет явно выраженные грани, пучок лучей пропускают в направлении какой-нибудь из кристаллографических осей или осей симметрии кристалла.
В результате такого селективного (выборочного) отражения рентгеновских лучей отдельными плоскостями на фотопластинке получается .ряд интерференционных пятен различной интенсивности ... ...
Министерство образования Российской Федерации. Владимирский Государственный Университет. Кафедра БМИ. РЕФЕРАТ на тему: "Средства визуализации ...
Не успели врачи полностью освоить возможности рентгеновских лучей в диагностике, как появились другие методы, позволяющие получить изображение внутренних органов человека ...
Люминесцентные пластины-накопители выпускаются в стандартных формах рентгеновской пленки, помещаются вместо обычных комплектов "пленка-усиливающий экран" в кассету и применяются в ... ...
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ "ХАРКІВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ" Факультет І Кафедра "Системи та процеси ...
NGOT - счетчик готовности k-го ЧЭ.
Согласно ДНАОП 0.00-0.31-99 мощность экспозиционной дозы рентгеновского излучения трубки в любой точке перед экраном на расстоянии...
Мониторы — Реферат
Содержание Введение 3 1. Классификация и отличительные особенности мониторов 4 2 .Основные параметры и характеристики монитора 5 2.1. Физические 5 2.2 ...
Прежде всего, за счет рентгеновского излучения, возникающего из-за торможения электронов в трубке, и паразитного ультрафиолетового излучения монитора.
Поток электронов (луч) может отклоняться в вертикальной и горизонтальной плоскости, что обеспечивает последовательное попадание его на все поле экрана....
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ СТАЛИ И СПЛАВОВ РЕФЕРАТ "Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства ...
[pic] и кристаллографической ориентацией (111)" [8]
Прежде всего это значит, что развернуть производство кремний-германиевых слитков и пластин на имеющемся в России парке оборудования - это вопрос небольшого времени....
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru