Материалы, похожие на работу «Печатные платы»

... Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по дисциплине "Технология производства полупроводниковых ...
Воздействие высокой температуры (в случае термического окисления) вызывает заметную диффузию примесей и изменение свойств структуры, поэтому пиролитическую плёнку окиси выращивают ...
Кремний окисляется двуокисью углерода и осаждается на полупроводниковую пластину....
... по дисциплине "Физико-химические основы технологии микроэлектроники" Студенту гр. 7033 Родину Н.Е. 1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка ...
Если в объеме полупроводникового материала до диффузии имелась примесь противоположного типа по отношению к диффундирующей, эта примесь распределена по объему равномерно и её ...
Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или ... ...
... Новгородский Государственный университет им. Ярослава Мудрого Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники "РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ
1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной). материал кремний примеси - Ga,P и Sb ...
Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или ... ...
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
Эта операция относится к заготовительным процессам изготовления приборов, Слитки полупроводниковых материалов диаметром 100 мм и более режут перпендикулярно их продольной оси на ...
3. Технологическая схема изготовления n-р-n-эпитаксиально-планарного кремниевого транзистора: а - исходная эпитаксиальая структура, б - структура с защитной оксидной пленкой, в ... ...
Содержание 1. Введение 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 2.1. Назначение подложек 2.2. Кремний - основной материал полупроводникового ...
Подготовка пластин, получаемых из слитков монокристаллического кремния, является одним из важнейших этапов производства ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков ...
На протяжении всех этапов изготовления кристаллов полупроводниковых ИМС очистку полупроводниковых пластин проводят многократно - после механической обработки пластин и перед ... ...
Содержание Стр. 1. Введение 2 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 3 2.1. Назначение подложек 3 2.2. Кремний - основной материал ...
Подготовка пластин, получаемых из слитков монокристаллического кремния, является одним из важнейших этапов производства ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков ...
На протяжении всех этапов изготовления кристаллов полупроводниковых ИМС очистку полупроводниковых пластин проводят многократно - после механической обработки пластин и перед ... ...
Кабардино - Балкарский Государственный Университет Курсовая работа Тема: "Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова." Выполнил ...
Классическая схема с формообразующей щелью, вырезанной в поплавке из материала, не смачиваемого расплавом, непригодна для кремния, так как расплавленный кремний хорошо смачивает ...
Главные требования к этому материалу-несмачиваемость расплавом кремния, отсутствие химического взаимодействия с кремнием и отсутствие примесей, способных переходить в расплав ... ...
РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ И ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ" Введение. Каждое вещество может находится в ...
Если в объеме полупроводникового материала до диффузии имелась примесь противоположного типа по отношению к диффундирующей, эта примесь распределена по объему равномерно и её ...
Примером диффузии примеси из слоя конечной толщины в полубесконечное тело с отражающей границей является диффузия в кремниевую пластину из эпитаксиального, имплантированного или ... ...
СОДЕРЖАНИЕВведение1. Описание схемы для разработки2. Определение электрических параметров схемы3. Технологические этапы изготовления ИМС4 ...
На поверхности кремния остается слой SiO2, соответствующий рисунку схемы4 - диффузия для создания скрытого n-слоя.Локальная диффузия является одной из основных технологических ...
Таким образом, в локальных участках кремния происходит диффузия легирующей примеси и создаются области полупроводника с определенным типом проводимости.После первой фотолитографии ... ...
Московский институт стали и сплавов ( технологический университет) кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников Домашнее задание ...
Основными полупроводниковыми материалами, применяемыми для изготовления полупроводниковых приборов, являются германий и кремний.
Погрешности при выращивании слитков приводят к тому, что торцы слитков не всегда перпендикулярны к их оси (т. е. заданному кристаллографическому направлению), поэтому перед резкой ... ...
Московский Государственный Технический Университет им. Баумана Физико-химические основы технологии электронных средств Реферат на тему: Технология ...
Эти примеси, окисляя порошок кремния, приводят к образованию на его поверхности плотных слоев SiO2, препятствующих взаимодействию кремния с хлористым водородом и соответственно ...
- резка алмазными пилами слитка на пластины:...
Технологические основы электроники Реферат 1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с ...
а-исходная пластина; б-стравливание окисла, подготовка поверхности; в-эпитаксиальное наращивание n-слоя, окисление поверхности; г-вскрытие окон в окисле под изолирующую ...
а-исходная пластина "сапфир-эпитаксиальный кремний-окись кремния"; б-избирательное анизотропное травление кремния с помощью оксидной маски (образование островков); в-избирательная ... ...
Государственный комитет Российской Федерации по высшему образованию Московский государственный открытый университет Реферат Электронные и ...
Слой двуокиси кремния формируется обычно на кремниевой пластине за счет химического взаимодействия в приповерхностной области полупроводника атомов кремния и кислорода.
Поэтому для реализации диффузионных резисторов в полупроводниковых ИМС используют те же диффузионные слои, которые образуют основные структурные области транзистора: базовую ... ...
Кремний — Реферат
Министерство общего и профессионального образования Новосибирский Государственный Технический университет. РГР по Органической Химии. "КРЕМНИЙ ...
Чтобы получить чистыми кремний, его очищают от примесей зонной плавкой аналогично тому, как получают чистый титан.
Карбид кремния - один из полупроводниковых материалов....
Кабардино - Балкарский Государственный Университет Курсовая работа Тема: "Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова." Выполнил ...
Во-первых, технология выращивания германия и кремния методом Чохральского совершенствовалась десятилетиями, и профилированный материал вряд ли сможет превзойти по качеству ...
... монокристаллов сравнительно низка, а себестоимость профильного Германия выше, чем себестоимость слитков, выращенных способом Чохральского, и это сводит к минимуму экономический ... ...
1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией Рис. 1. Последовательность ...
а - исходная пластина; б - избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в - осаждение поликристаллического кремния; г - шлифование и ...
Однако тонкие эпитаксиальные слои практически исключают возможность многократного образования окиси кремния за счет термического окисления, так как толщина слоя SiO2, необходимого ... ...
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ СТАЛИ И СПЛАВОВ РЕФЕРАТ "Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства ...
... методом, а химический состав определялся путём анализа на германий полярографическим методом, дающим, если кремний является единственной примесью, точность не хуже 1% ...
Прежде всего это значит, что развернуть производство кремний-германиевых слитков и пластин на имеющемся в России парке оборудования - это вопрос небольшого времени....
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ГЕОДЕЗИИ И КАРТОГРАФИИ КУРСОВАЯ РАБОТА ПО СХЕМОТЕХНИКЕ ТЕМА: "ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ" ВЫПОЛНИЛИ ...
В настоящее время в области практического использования никакой полупроводниковый материал не может конкурировать с кремнием по степени изученности характеристик и, особенно, по ...
кремний на кремнии", а также на основе чувствительных элементов с диффузионными кремниевыми тензорезисторами является низкий верхний предел рабочих температур, что обусловлено ... ...
Аннотация Данная курсовая работа по предмету "Микросхемотехника" содержит описание интегральной микросхемы КР1533ТВ6. В курсовой работе приводится ...
На начальных этапах изготовления ИМС слой толщиной 1-3 мкм используют как маску для проведения избирательной диффузии на участках пластины, не покрытых этим слоем.
При прямой экспозиции полупроводниковой пластины в электронном луче можно создавать полоски в 20 раз более узкие, чем при фотолитографии, тем самым уменьшая размеры элементов до 0 ... ...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru