Материалы, похожие на работу «Магнетронные распылительные системы»

смотреть на рефераты похожие на "Физические свойства вакуумно-плазменных покрытий для режущего инструмента " БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ...
Магнетронные системы ионного распыления относятся к системам распыления диодного типа, в которых атомы распыляемого материала удаляются с поверхности мишени при ее бомбардировке ...
В магнетронной распылительной системе катод (мишень) помещается в скрещенное электрическое (между катодом и анодом) и магнитное поле, создаваемое магнитной системой....
Введение За последние годы УФ-техника интенсивно развивается. Это обусловлено прежде всего появлением новых технических идей, позволяющих улучшить ...
В основу положено распыление мишени в реакционном газе и протекание реакций с образованием соединений на поверхности мишени, на подложке или в пространстве "мишень-подложка", где ...
Наличие замкнутого магнитного поля у распыляемой поверхности мишени позволяет локализовать плазму разряда непосредственно у мишени....
Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
Наносят защитные пленки нитрида кремния в установках катодного распыления на постоянном токе с холодным или горячим катодом.
Этот катод распыляют в смеси аргона и азота....
Технологические основы электроники Реферат 1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с ...
При катодном распылении используют простейшую двухэлектродную схему (рис.12), называемую также диодной схемой распыления, которая состоит из катода (распыляемой мишени) и анода.
Из сказанного следует, что массовая скорость распыления вещества катода, т.е. количество вещества в граммах, распыленного с 1 см2 катода в 1 с, определяется для аномально тлеющего ... ...
ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ Автор: Терлецкая Л.И. (Ангарское Опытно Конструкторское Бюро Автоматики) Редакция текста: Шереметьев А.Н.(Ангарская ...
В 1930 году Ноулз впервые опубликовал описание неоновой лампы тлеющего разряда, в которой возникновение разряда между анодом и катодом вызывается третьим электродом.
Электронный луч, попадая на поверхность мишени, выбивает вторичные электроны, число которых больше, чем первичных, потому поверхность мишени, обращенная к электронному прожектору ... ...
1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией Рис. 1. Последовательность ...
При катодном распылении используют простейшую двухэлектродную схему (рис.12), называемую также диодной схемой распыления, которая состоит из катода (распыляемой мишени) и анода.
Из сказанного следует, что массовая скорость распыления вещества катода, т.е. количество вещества в граммах, распыленного с 1 см2 катода в 1 с, определяется для аномально тлеющего ... ...
МИРЭА(ТУ) РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Работы выполнил: Семенов Д.А. РР-2-97 План. 1. Роль тонкопленочной технологии в ...
Тонкопленочное направление интегральной электроники основано на последовательном наращивании пленок различных материалов на общем основании (подложке) с одновременным формированием ...
Получение пленок ? - и ?- тантала обычно производят путем катодного распыления при напряжении 4-5 кВ и плотности тока 0,1--1 мА/см2....
Задание на курсовое проектирование В данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ...
сновными методами нанесения тонких пленок в технологии ГИМС являются: термическое испарение в вакууме, катодное, ионно-плазменное и магнетронное распыления.
5, б) называют процесс, при котором в диодной системе катод-мишень 9, выполненный из распыляемого материала, оседающие в виде тонкой пленки на подложке 4. Ионизация инертного газа ... ...
Московский Государственный институт электроники и математики (Технический университет) Кафедра: РТУиС Пояснительная записка по выполнению курсового ...
О сновными методами нанесения тонких пленок в технологии ГИМС являются: термическое испарение в вакууме, катодное, ионно-плазменное и магнетронное распыления.
5, б) называют процесс, при котором в диодной системе катод-мишень 9, выполненный из распыляемого материала, оседающие в виде тонкой пленки на подложке 4. Ионизация инертного газа ... ...
Аннотация. В дипломном проекте рассмотрен электретный эффект в пленках фторопластата - 4 толщиной 10 мкм с односторонней металлизацией алюминием ...
При подключении к источнику напряжения такой конструкции с сэндвичем перенос заряда осуществляется постепенно через воздушные микроскопические зазоры между диэлектрической ...
1 - держатель катода; 2 - фторопластовая пластина; 3 - стеклянная труба; 4 - катод; 5 - анод; 6 - фторопластовая пленка; 7, 11 - пластины оргстекла; 8 - управляющий электрод; 9 ... ...
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
Катодное распыление целесообразно применять для получения пленок тугоплавких металлов (с высокой температурой испарения) -титана, вольфрама, молибдена.
Атомы распыляемого катода осаждаются на полупроводниковую подложку и образуют сплошную металлическую пленку....
Государственный Комитет Российской Федерации по Высшему Образованию Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет "ЛЭТИ" Кафедра ...
Электролитическое осаждение - осаждение пленок из водных растворов солей металлов (электролитов) под действием электрического тока, которое осуществляется в специальных ...
Аппаратурное оформление этих методов практически одинаково, однако в данном случае пленки образуются на аноде, которым является подложка....
ОПТИЧЕСКИЕ КВАНТОВЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ Успехи, достигнутые при разработке и исследовании квантовых усилителей и генераторов в радиодиапазоне, послужили базой ...
В первом случае в газоразрядную трубку, как показано на рис.80, вводят электроды - катод Щ, анод (
Однако при этом встречаются трудности в получении равномерного разряда по всей площади трубки, требуются мощные катоды, обеспечивающие большие токи эмиссии (до сотен ампер)....
Содержание Стр. 1. Введение 2 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 3 2.1. Назначение подложек 3 2.2. Кремний - основной материал ...
Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов ...
В технике ИМС подложки выполняют две функции: а) являются основанием, на поверхности или в приповерхностном слое которого по заданному топологическому рисунку формируют структуры ... ...
Содержание 1. Введение 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 2.1. Назначение подложек 2.2. Кремний - основной материал полупроводникового ...
Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов ...
Для этого полупроводниковую пластину (анод) и металлический электрод (катод) помещают в электролит, через который пропускают электрический ток....
Государственный комитет Российской Федерации по высшему образованию Московский государственный открытый университет Реферат Электронные и ...
Однако, в связи с дальнейшей миниатюризацией СБИС и использованием различных полупроводников в качестве подложек необходимо разработать новые методы изготовления пленок с еще ...
Как мы уже видели, внутри лампы можно различить три такие емкости: между сеткой и катодом, между сеткой и анодом и между анодом и катодом....
Телевидение — Реферат
ГОСУДАРСТВЕННАЯ АКАДЕМИЯ СФЕРЫ БЫТА И УСЛУГ ИНСТИТУТ ТЕХНИКИ СЕРВИСА Б. С. РОЗОВ Т Е Л Е В И Д Е Н И Е Учебное пособие Москва, 1997 Рецензенты: Волков ...
Между катодом и анодом (коллектором) приложено собирающее (и ускоряющее) электрическое поле.
4.8, а. При ускоряющем потенциале 0 ( UA ( Ukp1 (область медленных электронов) мишень получает некоторый отрицательный (относительно катода) равновесный потенциал UHP ( (-1,5 B), а ... ...
Министерство образования Российской Федерации Магнитогорский Государственный Технический Университет им Г.И. Носова Кафедра Промышленной Кибернетики и ...
Применительно к полярографической ячейке это означает, что в каждый данный момент значение налагаемого на электроды поляризующего напряжения равно сумме скачков потенциала на аноде ...
435,8; 546,1; 577 и 579,1 нм ; лампы с полным катодом , являющиеся источниками линейчатого спектра излучения, характер которого определяется элементами, входящими в состав катода ... ...
Магнитометры — Реферат
Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) Курсовая работа для представления на кафедру "Материаловедение ...
Нанесение первой пленки осуществляется путем катодного распыления.
Образовавшиеся при этом положительные ионы, разгоняются электрическим полем, ударяются о катод распыляя сплав.
Для высокочастотного катодного распыления Nb3Sn необходим вакуум перед распылением 10-4Па, температура подложки 900OС, чистота напускаемого аргона...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru