Материалы, похожие на работу «Химические способы очистки поверхностей полупроводниковых пластин»

... Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по дисциплине "Технология производства полупроводниковых ...
К молекулярным относятся органические (натуральные и синтетические воски, смолы, масла, жир, остатки фоторезистов, растворителей и др.) и механические (пыль, абразивные частицы ...
Отмывку в растворителях применяют для удаления с поверхности полупроводников жиров растительного и животного происхождения, а также минеральных масел, смазок, воска, парафина и ... ...
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
Для окончательной подготовки рабочей поверхности пластины служит химическая обработка, назначение которой заключается в удалении загрязнений, о статков оксидов и в обезжиривании.
Наиболее распространенными способами удаления загрязнений являются: растворение загрязнений в веществе; превращение загрязнений в растворимые продукты в результате химической ... ...
Содержание 1. Введение 2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 2.1. Назначение подложек 2.2. Кремний - основной материал полупроводникового ...
Подготовка пластин, получаемых из слитков монокристаллического кремния, является одним из важнейших этапов производства ИМС и включает в себя следующие операции: ориентацию слитков ...
В отечественной промышленности для различных целей плазмохимической обработки кремниевых пластин используются автоматизированные реакторы "Плазма 600" (для удаления фоторезиста и ... ...
Печатные платы — Реферат
Введение Термин "технология" происходит от двух греческих слов: ((((( - искусство, мастерство, умение и ((((( - наука. В производственных процессах он ...
Обезжиривание (отмывка) в органических растворителях (толуоле, дихлорэтане, спиртах: этиловом, метиловом и др) применяется для удаления с поверхности пластин жиров животного и ...
Отличие состоит в том, что сначала формируют элементы ИМС (рис 20,а), а затем пластину с элементами со стороны выводов подвергают локальному травлению - создают мезаобласти (рис 20 ... ...
НТУУ "КПИ" РТФ Доклад тема: "Травление п/п ИМС" Выполнил: студент 2-го курса группы РТ-22 Кираль С. О. Kиев 2004 Введение Одним из определяющих ...
Долгие годы для проведения травления использовались различные влажные химические процессы (термин влажные подразумевает использование для травления полупроводниковых структур ...
Например, при удалении рези-стов, при травлении маски из нитрида кремния на оксиде или поликремнии в LOCOS процессах....
Очистка сточных вод В ведение Основные вопросы защиты окружающей среды необходимо решать на основе следующих принципов: форма и масштабы человеческой ...
Механическая очистка обеспечивает удаление взвешенных веществ из бытовых сточных вод на 60-65%, а из некоторых производственных сточных вод на 90-95%.
Сточные воды, прошедшие механическую и физико-химическую очистку, содержат еще достаточно большое количество растворенных и тонкодиспергированных нефтепродуктов, а также других ... ...
... университет Факультет автоматизации машиностроения Кафедра промышленной экологии и безопасности МЕТОДЫ ОЧИСТКИ СТОЧНЫХ ВОД ОТ НЕФТЕПРОДУКТОВ Реферат
Механическая очистка обеспечивает удаление взвешенных веществ из бытовых сточных вод на 60-65%, а из некоторых производственных сточных вод на 90-95%.
Сточные воды, прошедшие механическую и физико-химическую очистку, содержат еще достаточно большое количество растворенных и тонкодиспергированных нефтепродуктов, а также других ... ...
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР МЕТОДОВ ОЧИСТКИ 1.1. Реагентные методы. 1.2. Биохимические методы. 1.3. Электрохимические методы. 1.4 ...
1) Необходимость предварительной очистки сточных вод от масел, ПАВ, растворителей, органики, взвешенных веществ.
Тип фильтрующего аппарата подбирают в зависимости от количества воды, подлежащей фильтрованию; концентрации загрязнений, их природы и степени дисперсности; физико-химических ... ...
Жидкостное химическое травление " Содержание. 1. Введение. 3 1.1. Термодинамика травления. 5 1.2. Общие принципы кинетики травления. 8 1.3 ...
В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при ...
Травление полупроводников [сборик статей]....
Липецкий государственный технический университет Кафедра обработки металла давлением ДОКЛАД на тему "ЭЛЕКТРОЛИТНАЯ ОБРАБОТКА ПОЛОСЫ" Выполнил: студент ...
Удаление с поверхности окислов обычно проводят с использованием химического и электрохимического травления.
Как правило, агрегаты непрерывной обработки, на которые рулоны полосы поступают после холодной прокатки, имеют комплекс устройств, где осуществляется многоступенчатая очистка ... ...
Содержание. 1. Введение. 1.1. Термодинамика травления. 1.2. Общие принципы кинетики травления. 1.3. Феноменологический механизм травления. 2 ...
В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при ...
из резиста в подложку с помощью изотропного травления....
Современная оптоэлектроника Оглавление 1 Введение. 3 2 Литературный обзор. 4 2.1 Соединения со структурой силленита. 4 2.1.1 Структура германата ...
Как считают авторы [38], выбор метода очистки зависит от природы подложки, типа загрязнений и степени требуемой чистоты обработки.
Реагентами, используемыми для очистки подложек, служат водные растворы кислот и щелочей, а так же такие органические растворители, как спирты, кетоны и хлористые углеводороды....
Московский Государственный Технический Университет им. Баумана Физико-химические основы технологии электронных средств Реферат на тему: Технология ...
Впервые такие дефекты наблюдались при избирательном травлении пластин бездислокационного кремния.
Поверхность стержней - основ подвергают ультразвуковой очистке, травлению в смеси кислот (например, HF+ + HNO3), отмывке и сушке....
Министерство образования Российской Федерации ДОПУЩЕН К ЗАЩИТЕ Зав. кафедрой, д.т.н., проф. _ 2003 г. ПРОЕКТИРОВАНИЕ СИСТЕМ ОЧИСТКИ ВОЗДУХА В ЦЕХЕ ...
... черных и цветных металлов, никелирование, хромирование, кадмирование, пассивирование медных сплавов и сталей, травление алюминия, медных сплавов, сталей и различных по своему ...
Защита окружающей среды от загрязнений включает, с одной стороны, специальные методы и оборудование для очистки газовых и жидких сред, переработки отходов и шламов, вторичного ... ...
Содержание: Введение 2 Раздел 1. Классификация устройств для очистки воздуха от пыли. 4 Раздел 2. Виды воздушных фильтров. 7 2.1. Ячейковые фильтры 7 ...
Оборудование, применяемое для очистки от пыли воздуха в системах вентиляции, кондиционирования и воздушного отопления, а также для защиты от загрязнения пылью воздушной среды ...
К недостаткам мокрой очистки следует отнести: необходимость обработки образующихся сточных вод, повышенный брызгоунос и необходимость защиты аппаратов от коррозии при обработке ... ...
МИРЭА(ТУ) РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Работы выполнил: Семенов Д.А. РР-2-97 План. 1. Роль тонкопленочной технологии в ...
Поскольку по своей структуре ситаллы многофазны, то при воздействии на них различных химических реактивов, применяемых, например, для очистки поверхности подложки от загрязнений ...
... в вакууме и разреженных газах, с помощью которых можно производить: ионное распыление металлов, сплавов, диэлектриков и полупроводников с целью получения пленок различной толщины и ... ...
СОДЕРЖАНИЕВведение1. Описание схемы для разработки2. Определение электрических параметров схемы3. Технологические этапы изготовления ИМС4 ...
Основными технологическими операциями при изготовлении ИМС являются: подготовка полупроводниковой подложки; окисление; фотолитография; диффузия; эпитаксия; ионное легирование ...
Последовательность операций планарно - эпитаксиальной технологии производства ИМС.1 - механическая обработка поверхности рабочей стороны кремниевой пластины р -типа до 14-го класса ... ...
... Технического Университета им. Н. Э. Баумана Отчет по технологической практике на тему: " Жидкостное химическое травление " студент: Тимофеев А. Ю. ...
В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при ...
1. Изменение размеров при переносе изображения из резиста в подложку с помощью изотропного травления....
Технологические основы электроники Реферат 1. Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с ...
а - исходная пластина; б - избирательное травление окисла, глубокое травление кремния, окисление поверхности; в - осаждение поликристаллического кремния; г - шлифование и ...
1 - карусель испарителей; 2 - экраны; 3-диафрагма; 4 - карусель трафаретов и подложек; 5 - нагреватель подложек; 6 - имитатор с датчиками температуры и сопротивления пленки; 7 ... ...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru