Материалы, похожие на работу «Солнечная энергетика»

Министерство образования РФ Иркутский государственный педагогический университет Факультет математики, физики и информатики Форма обучения заочная ...
На солнце предметы нагреваются в результате поглощения ими энергии солнечного излучения.
Дальнейшее снижение стоимости "солнечной" электроэнергии связано с совершенствованием элементов на основе поликристаллического кремния, преобразованием концентрированного ... ...
Современная оптоэлектроника Оглавление 1 Введение. 3 2 Литературный обзор. 4 2.1 Соединения со структурой силленита. 4 2.1.1 Структура германата ...
Если материалы получаемого слоя и подложки идентичны, например, кремний выращивают на кремнии, то процесс называют автоэпитаксиальным или гомоэпитаксиальным.
Тонкие конденсаты, полученные стекле, сколе слюды, пластинках из нержавеющей стали, изучались на электронном микроскопе ЭММ - 2. При напылении плёнок на холодные подложки (tп. = 20 ... ...
Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
Защита поверхности p-n-переходов плёнками нитрида кремния.
300 С в ткчение15 минут образуется стеклообразная плёнка толщиной 1 мкм, на поверхности которой разложением этилокремниевой кислоты наращивается плёнка окиси кремния, которую ... ...
Литография — Курсовая работа
ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Фотолитография. Введение. Оптическая литография объединяет в себе такие области науки, как ...
При a =0.4 поглощение в резистной пленке однородно, а g @ 2.5.
Если подложка изготовлена не из кремния или на кремний нанесены пленки тяжелых металлов, например, золота или вольфрама, то экспозиция окрестности пятна увеличивается....
Печатные платы — Реферат
Введение Термин "технология" происходит от двух греческих слов: ((((( - искусство, мастерство, умение и ((((( - наука. В производственных процессах он ...
Эпитаксиальный слой осажденного кремния монокристалличен и имеет ту же структуру и ориентацию, что и подложка.
В основу изготовления полупроводниковых биполярных ИМС с комбинированной изоляцией положены процессы, обеспечивающие формирование элементов с изоляцией p-n переходами их ... ...
Энергия — Реферат
Введение Рождение энергетики произошло несколько миллионов лет тому назад, когда люди научились использовать огонь. Огонь давал им тепло и свет, был ...
Энергия солнечной радиации может быть преобразована в постоянный электрический ток посредством солнечных батарей - устройств, состоящих из тонких пленок кремния или других ...
В солнечном элементе из полупроводникового кремния толщиной 50мкм поглощаются фотоны, и их энергия преобразуется в электрическую посредством p-n соединения....
Фуллерены — Реферат
Курсовая работа по "Материалам и компонентам электронной техники" на тему: Фуллерены Выполнил: Neur0_13[z_c0m] студент группы xxxx/x СПбГПУ, 2004 г ...
1991 г. измерялись спектры оптического поглощения, эллипсометрические спектры пленок и монокристаллов.
Но, используя фуллерены, карбид кремния удается получить путем осаждения пленки С60 на кремниевую подложку с дальнейшим отжигом при температуре не выше 800 - 900 °С со скоростью ... ...
ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Реферат по НИРС Выполнил : Тимофеев А. гр. ФТМ-61 КАЛУЖСКИЙ ФИЛИАЛ МОСКОВСКОГО ...
При a=0.4 поглощение в резистной пленке однородно, а g@2.5.
Если подложка изготовлена не из кремния или на кремний нанесены пленки тяжелых металлов, например, золота или вольфрама, то экспозиция окрестности пятна увеличивается....
Кабардино - Балкарский Государственный Университет Курсовая работа Тема: "Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова." Выполнил ...
Что касается профильного кремния, то, по зарубежным данным Г1241, монокристаллы в форме пластин и лент представляют наибольший интерес в качестве подложек большой площади для ...
Исследование различных видов чистого графита, а также графита, покрытого пленкой карбида кремния, показало, что для изготовления формообразователя наиболее подходящим по физическим ... ...
Современная оптоэлектроника Оглавление 1 Введение. 3 2 Литературный обзор. 4 2.1 Соединения со структурой силленита. 4 2.1.1 Структура германата ...
Если материалы получаемого слоя и подложки идентичны, например, кремний выращивают на кремнии, то процесс называют автоэпитаксиальным или гомоэпитаксиальным.
Тонкие конденсаты, полученные стекле, сколе слюды, пластинках из нержавеющей стали, изучались на электронном микроскопе ЭММ - 2. При напылении плёнок на холодные подложки (tп. = 20 ... ...
" Жидкостное химическое травление " Содержание. 1. Введение. 3 1.1. Термодинамика травления. 5 1.2. Общие принципы кинетики травления. 8 1.3 ...
Поскольку кремний существует в виде монокристаллических или поликристаллических пленок, его структура, как и структура других кристаллических материалов, имеет и ближний и дальний ...
Неразбавленный раствор HF является также хорошо проникающим веществом, и поэтому он легко диффундирует сквозь резистную пленку, создавая в ней каналы и случайные отслоения от ... ...
- 3 - _ГЛАВА 1. _я21.Применяемые обозначения. Некоторые формулы, связывающие я2перечисленные величины. 2Электромагнитная теория E - напряженность ...
рованного излучения (процесса обратного поглощению), при этом
стеклянной подложкой,на которую нанесены пленки, образующие...
Московский Государственный Технический Университет им. Н. Э. Баумана Калужский филиал КАФЕДРА МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ И МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ...
Эпитаксиальные пленки арсенида индия высокой чистоты можно получать с использованием в качестве транспортирующего агента тетрахлорид кремния.
. возможность получать субмикронные эпитаксиальные слои (0.2-0.8 мкм), величина переходной области подложка-слой составляет 0.03-0.1 мкм....
МИРЭА(ТУ) РЕФЕРАТ НА ТЕМУ: ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Работы выполнил: Семенов Д.А. РР-2-97 План. 1. Роль тонкопленочной технологии в ...
Для предотвращения миграции кремния в пленку А1 в качестве промежуточного слоя может быть использована пленка титана.
Поэтому для уменьшения высоты и сглаживания краев микронеровностей иногда на подложку наносят грунтующий слой из материала, обладающего хорошими диэлектрическими и адгезионными ... ...
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ МОЛДОВА Технический Университет Молдовы Факультет Радиоэлектроники Кафедра Телекоммуникаций Курсовая работа На ...
Если теперь осветить фотодиод, то возникшие носители (электроны и дырки) ускоряются в этом поле и движутся в n-слой (электроны) и в p-слой (дырки).
ФОТОКАТОД, работающий .на просвет. (излучение попадает на фотокатод со стороны подложки), формируется при изготовлении в виде тонкой пленки непосредственно на плоском входном окне....
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ СТАЛИ И СПЛАВОВ РЕФЕРАТ "Свойства сплавов кремний-германий и перспективы Si1-xGex производства ...
При этом их стоимость немногим выше, чем классических приборов на основе кремния, а все наработанные производственные процессы для Si применимы и для SiGe.
Ширина запрещенной зоны была принята равной энергии, соответствующей величине поглощения, которой обладает германий при принятой ширине запрещенной зоны (0,72 ЭВ)....
КАЛУЖСКИЙ ФИЛИАЛ МОСКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМЕНИ Н.И. БАУМАНА Р Е Ф Е Р А Т по НИРС ЛИТОГРАФИЯ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ В ...
При (=0.4 поглощение в резистной пленке однородно, а ((2.5.
Если подложка изготовлена не из кремния или на кремний нанесены пленки тяжелых металлов, например, золота или вольфрама, то экспозиция окрестности пятна увеличивается....
Введение За последние годы УФ-техника интенсивно развивается. Это обусловлено прежде всего появлением новых технических идей, позволяющих улучшить ...
Эпитаксиальные пленки AlN были получены на сапфировой подложке.
Коэффициент поглощения при 6.2 эВ равен примерно 105 см-1, поскольку толщина пленки составляла 800 ангстрем....
Реферат по астрономии на тему "Солнечная система" 1Содержание: 1Предисловие 1Глава 1: Происхождение Солнечной системы0 1(гипотеза О.Ю.Шмидта) 1Часть 1 ...
Вследствие крайней разряженности вещества этих облаков погружение Солнечной системы в облако может проявится только при небольшом поглощении и рассеянии солнечных лучей.Проявления ...
чение Солнца возрастает в тысячи и даже миллионы раз по сравнению с радиоизлучение спокойного Солнца.Ренгеновские лучи исходят в основном от верхних слоёв атмосферы и короны ... ...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru