Материалы, похожие на работу «Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника»

КАЗАХСКО-АМЕРИКАНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭЛЕКТРОННЫЕ, КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Программа, методическое указание и контрольные задания (для ...
Основу биполярных полупроводниковых ИМС составляют n-p-n транзисторы. Отличия параметров и характеристик интегрального n-p-n транзистора от дискретного определяются расположением ...
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода....
КАЗАХСКО-АМЕРИКАНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭЛЕКТРОННЫЕ, КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Программа, методическое указание и контрольные задания (для ...
Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых интегральных микросхем (ИМС) (эпитаксия, термическое окисление, диффузия, ионное легирование, фотолитография ...
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода....
ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ Автор: Терлецкая Л.И. (Ангарское Опытно Конструкторское Бюро Автоматики) Редакция текста: Шереметьев А.Н.(Ангарская ...
К моменту изобретения интегральных микросхем из полупроводниковых материалов уже научились изготавливать дискретные транзисторы и резисторы.
3) 1975 - 1980гг. - интегральные схемы с большой степенью интеграции, 104 транзисторов на кристалле (БИС)....
смотреть на рефераты похожие на "Разработка системы управления асинхронным двигателем с детальной разработкой программ при различных законах ...
При передаче информации в линию связи уровень "логического нуля" на выходе TxD (что соответствует активному состоянию выхода) ключ на транзисторе VT3 закрывается, а светодиод ...
Полупроводниковые БИС запоминающих устройств....
Содержание Введение 1 Расчетно-теоретическая часть 1.1 Разработка схемы электрической структурной 1.2 Выбор элементной базы 1.3 Разработка схемы ...
Разрабатываются и выпускаются все более сложные большие интегральные схемы(БИС), степень интеграции которых характеризуется сотнями тысяч транзисторов в полупроводниковом кристалле ...
По току нагрузки определяем максимальный ток, текущий через каждый диод выпрямительного моста:...
Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
Для защиты кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, кристаллов и подложек гибридных микросхем от воздействий внешней среды, стабилизации параметров ...
Применяется для герметизации полупроводниковых диодов и транзисторов....
Теория — Реферат
Введение Умение решать сложные научно-технические задачи ( основная функция современного инженера электронной техники. Научиться решать такие задачи ...
1-е состояние: транзистор закрыт, его сопротивление равно бесконечности, ток через прибор прекращается и напряжение на нем Uк ( Ек ( это будет первая точка нагрузочной прямой ...
(4.1) где Iкн ( ток насыщения транзистора; ( ( статический коэффициент передачи тока базы; I+б ( отпирающий базовый ток....
Министерство Российской Федерации по связи и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных ...
Рассматриваются принципы работы, характеристики и параметры полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов различной структуры.
Биполярным транзистором (БТ) называется трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, предназначенный для усиления электрических колебаний по ... ...
1. Зонная модель полупроводника. К полупроводникам (ПП) относятся вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное ...
Активные элементы (диоды, транзисторы) выполняются по обыкновенной полупроводниковой технологии, при помощи таких процессов, как диффузия, фотолитография, окисление.
Основная структура полупроводниковой ИМС - это транзистор....
Логическое проектирование и минимизация Содержание Введение 5 1. Обзор методов логического проектирования и минимизации 9 1.1 Нормальные формы ...
4) Поддерживается стандартный набор компонентов: резисторы, конденсаторы, индуктивности, управляемые линейные и нелинейные источники, линии задержки без потерь и с потерями, диоды ...
6) Имеются следующие измерительные приборы: мультиметры (измерения постоянного и переменного напряжения и тока, сопротивления, результаты выводятся в относительных единицах и ... ...
Содержание 1. ВВЕДЕНИЕ ............................2 2. n-МОП СБИС ТЕХНОЛОГИЯ................. .4 2.1 Основы технологии производства n-МОПСБИС ...
2000 году) и наноэлектроника (полупроводниковые приборы с размерами рабочих областей до 100 нм к 2010 году) включают следующие основных направления: технологию сверхбольших ...
Однокристальные и трехкристальные БИС МП, как правило, изготовляют на основе микроэлектронных технологий униполярных полупроводниковых приборов, а многокристальные секционные БИС ... ...
... Назначение системы 2.2. Анализ исходной проектной ситуации 2.3. Перечень основных функций, подлежащих реализации. 2.4. Основные технические параметры ...
Если большинство радиодеталей можно проверить обычным омметром (как, например, резисторы или диоды), то для проверки интегральной микросхемы (ИМС) требуется гораздо больший ...
Защиту можно организовать, вводя в блок питания аппаратное отключение напряжения питания, если ток потребления превысил максимально допустимые для ИМС параметры....
Содержание |Введение |5 | |1. |Обзор методов логического проектирования и минимизации | |9 | |1.1 |Нормальные формы логических функций |10 | |1.2 ...
1) Современная полупроводниковая и интегральная элементная база очень чувствительна к перегреву, перенапряжению, статическому электричеству, имеет миниатюрные размеры и поэтому ...
4) Поддерживается стандартный набор компонентов: резисторы, конденсаторы, индуктивности, управляемые линейные и нелинейные источники, линии задержки без потерь и с потерями, диоды ... ...
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПАМЯТИ И ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ Информация и память Мозг и машина Основные характеристики, классификация и ...
Запоминающие элементы на ТТЛ-схемах (транзисторно-транзисторная логика на биполярных транзисторах) хорошо приспособлена к технологии больших интегральных схем (БИС).
... С тех пор был выполнен большой объем экспериментальных исследований, в том числе по отработке технологии изготовления джозефсоновских приборов, однако решающего успеха, который бы ... ...
Машинная память — Дипломная работа
Машинная память Ульяновский государственный технический университет Кафедра: "Вычислительная техника" Введение Внедрение в практику техники ...
Запоминающие элементы на ТТЛ-схемах (транзисторно-транзисторная логика на биполярных транзисторах) хорошо приспособлена к технологии больших интегральных схем (БИС).
... С тех пор был выполнен большой объем экспериментальных исследований, в том числе по отработке технологии изготовления джозефсоновских приборов, однако решающего успеха, который бы ... ...
Источник бесперебойного питания 2006 г. Вступление В настоящее время наблюдается увеличение потребности в высокоскоростных центрах обработки данных ...
- широко использовать интегральные микросхемы (далее ИМС), а также стандартные компоненты;
Компаратор перенапряжения с гистерезисом и очень низким током питания позволяет минимизировать схему запуска и питания (рис.4.2 а). Питание ИМС берется из вторичной обмотки ... ...
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации Санкт-Петербургская государственная академия холода и пищевых технологий ...
Таким образом, быстродействие транзисторного ключа зависит от частотных свойств используемого транзистора и параметров импульса базового тока.
Транзисторы пМОП-типа являются в 2-3 раза более быстродействующими по сравнению с транзисторами рМОП-типа и требуют меньшей пло-щади полупроводниковой поверхности, существенно ... ...
ВВЕДЕНИЕ Усилителями постоянного тока (УПТ) называются устройства, предназначенные для усиления медленно изменяющихся сигналов вплоть до нулевой ...
В настоящее время в качестве термокомпенсирующего элемента обычно используется диод в прямом смешении, включенный в цепь базы транзистора.
Дело в том, что дрейф нуля в УПТ с МДМ в основном определяется дрейфом модулятора, который обусловлен нестабильностью остаточных параметров транзистора (тока и напряжения)....
Введение Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты ...
Сочетание этих методов заложило основу планарной ( plane - плоскоcть ) технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС).
Каждая последовательность формирует определенную часть структуры: базовую или эмиттерную область, контакты и т. д. Последовательность изменения структуры полупроводникового ... ...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru