Материалы, похожие на работу «Дифференциальный усилитель»

Московский Государственный Авиационный Институт (Технический Университет) Пояснительная записка к курсовому проекту по курсу "Технология аппаратуры ...
Гибридные ИМС (ГИС) - это интегральные схемы, в которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы ...
Рассчитаем площадь, занимаемую резистором S=lполн*b. S1,3,5=1.2 мм^2....
ВВЕДЕНИЕ Развитие микроэлектроники и широкое применение ее изделий в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми ...
Если младший бит порта А микросхемы DD6 установлен в нулевое состояние, то транзистор VT6 закрыт В результате на выход формирователя будет поступать через резистор R93 и диод VD30 ...
При нулевом значении сигнала на входе формирователя младшего разряда данных (при нулевом значении бита 0 порта B микросхемы DD8) транзистор VT2 закрыт в любом случае (даже если ... ...
СОДЕРЖАНИЕ Введение 4 1 Обоснование технических решений 6 2 Конструкторская часть 8 2.1 Назначение 8 2.2 Принцип действия 8 2.3 Конструкция печатной ...
Если младший бит порта А микросхемы DD6 установлен в нулевое состояние, то транзистор VT6 закрыт В результате на выход формирователя будет поступать через резистор R93 и диод VD30 ...
При нулевом значении сигнала на входе формирователя младшего разряда данных (при нулевом значении бита 0 порта B микросхемы DD8) транзистор VT2 закрыт в любом случае (даже если ... ...
Содержание: 1. Введение 2. Постановка задачи 2.1. Назначение системы 2.2. Анализ исходной проектной ситуации 2.3. Перечень основных функций ...
В то же время транзистор VT33 открыт, т.к. напряжение между подложкой и затвором равно около +5в.
Ток потечет через переход исток-сток транзистора VT1, резистор R33 и вход испытуемой микросхемы....
содержание Введение 3 1. Назначение и условия эксплуатации 5 2. Выбор варианта конструкции 6 3. Выбор материалов 8 4. Расчетная часть 16 4.1 ...
Расстояние между неизолированными корпусами электрорадиоэлементов, между корпусами и выводами, между выводами соседних электрорадиоэлементов или между выводом и любой ...
При использовании микросхем повышение плотности монтажа достигается тем, что на общей изоляционной подложке располагаются в виде тонких пленок резисторы, проводники, обкладки ... ...
Усилители: конструкция и эксплуатация Введение В настоящее время усилители получили очень широкое распространение практически во всех сферах ...
Расстояние между неизолированными корпусами электрорадиоэлементов, между корпусами и выводами, между выводами соседних электрорадиоэлементов или между выводом и любой ...
При использовании микросхем повышение плотности монтажа достигается тем, что на общей изоляционной подложке располагаются в виде тонких пленок резисторы, проводники, обкладки ... ...
ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ 1. Особенности СВЧ микроэлектронных устройств В диапазон СВЧ микроэлектроника начала ...
подложки должны обладать высокой теплопроводностью, а коэффициенты линейного расширения материалов подложек, корпусов и вспомогательных материалов должны быть согласованы для ...
При конструировании гибридных устройств СВЧ возможны разнообразные решения, различающиеся способами установки диэлектрических подложек с пленочными и навесными элементами в ... ...
Источник бесперебойного питания 2006 г. Вступление В настоящее время наблюдается увеличение потребности в высокоскоростных центрах обработки данных ...
... все они имеют устройство, которое обеспечивает электропитанием все узлы и элементы (электронных ламп, транзисторов, микросхем), устройств, которые входят в ту или другую систему.
При включении VT1 через обмотку W2, транзистор VT1 и резистор R30 начинает протекать ток....
Микроэлектроника — Дипломная работа
Микроэлектроника ВВЕДЕНИЕ Общие сведения о микроэлектронике Электроника прошла несколько этапов развития, за время которых сменилось несколько ...
... дискретная электроника полупроводниковых приборов, интегральная электроника микросхем (микроэлектроника), интегральная электроника функциональных микроэлектронных устройств ...
Размеры контактных площадок зависят от способа получения конфигурации (для маски: внешние - 0.4 * 0.4 мм, внутренние 0.2 * 0.25 мм)
В ходе курсового проектирования были выбраны: технология получения тонких пленок, тонкопленочных элементов, материал подложки, тонкопленочных резисторов, конденсаторов, проводников ... ...
... и математики (Технический университет) Кафедра: РТУиС Пояснительная записка по выполнению курсового проекта на тему: "Конструирование микросхем и ...
Пленочная технология не предусматривает изготовление транзисторов, поэтому транзисторы выполнены в виде навесных элементов, приклеенных на подложку микросхемы.
(кф > (b/ bmax , где bmax = 2 мм ( (кф > 0,01 ( резистор неподстраиваемый....
Задание на курсовое проектирование В данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ...
Пленочная технология не предусматривает изготовление транзисторов, поэтому транзисторы выполнены в виде навесных элементов, приклеенных на подложку микросхемы.
?кф > ?b/ bmax, где bmax = 2 мм ? ?кф > 0,01 ? резистор неподстраиваемый....
Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации Тульский государственный университет КАФЕРА РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ Утверждаю ...
По ГОСТ 17467-79 корпус микросхемы имеет размеры (19,2`7,3`5) мм, тогда Sосн=1,4=10-4 м2.
Резисторы постоянные Резисторы подстроечные Конденсаторы керамические Конденсаторы электролитические Диоды Транзисторы кремниевые до 150 мВт Микросхемы Переключатели Кнопка сетевая ... ...
СОДЕРЖАНИЕВведение1. Описание схемы для разработки2. Определение электрических параметров схемы3. Технологические этапы изготовления ИМС4 ...
Последовательность расчета параметров интегральных резисторов.Параметры, которые определяют сопротивление интегрального резистора, можно разделить на две группы:1) параметры ...
Последовательность расчета топологических параметров параметров полупроводниковых резисторов.Для расчета параметров интегральных резисторов используется написанная для этих целей ... ...
Блок питания для компьютера, мощностью 350Вт, форм-фактор АТХ Дипломная работа. Киевский политехнический институт (КПИ) Радиотехнический факультет ...
- управляющая микросхема с некоторыми навесными элементами;
Конструкция №2 представляет собой блок, в котором применен один вентилятор размером 120 мм, который работает на вдув воздуха в корпус блока питания....
РГРТА Кафедра КПРА Курсовая работа по курсу: "Технологические процессы микроэлектроники" На тему: "Усилитель промежуточной частоты" Выполнил ст. гр ...
В разработку топологии микросхемы входит: расчет геометрии каждого пленочного элемента и допусков на его размеры, выбор материала для них; определение оптимальных условий ...
|Резисторы |L,мм |b, мм |S, мм |P, мВт |...
смотреть на рефераты похожие на "Разработка устройства Видеопорт" Министерство общего и профессионального образования РФ Ижевский государственный ...
Высоту корпуса устройства равную 25 мм берем исходя из высоты печатной платы с установленными на ней микросхемами (ИМС) и электронных радиоэлементов (ЭРЭ) равной 15 мм.
К = 1.14 для микросхем, центр которых отстоит от торцов печатной платы на расстоянии меньше 3R, К = 1 для микросхем, центр которых отстоит от торцов на расстоянии больше 3R. a, b ... ...
2 Назначение и особенности конструкции прибора Пульт дистанционного управления (ПДУ) телевизора, видеомагнитофона, спутникового ресивера, музыкального ...
Резистор R8 и конденсатор С9 установлены методом навесного монтажа.
ТРАССА-ТРАНЗИСТОР" 1 Автомат подготовки транзисторов в пластмассовом корпусе типа КТ 13 2 Автомат установки транзисторов в пластмассовом корпусе типа КТ 13 КП34.05.00.00 КП34.02.00 ... ...
Блок питания для компьютера, мощностью 350Вт, форм-фактор АТХ Дипломная работа. Киевский политехнический институт (КПИ) Радиотехнический факультет ...
- управляющая микросхема с некоторыми навесными элементами;
Конструкция №2 представляет собой блок, в котором применен один вентилятор размером 120 мм, который работает на вдув воздуха в корпус блока питания....
Аннотация. В данном дипломном проекте проведена разработка управления тюнером спутникового телевидения. В расчетно-теоретическом разделе рассмотрены ...
0,003в=0,54 мм>?B=0,47 мм
Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема Микросхема ... ...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru