Материалы, похожие на работу «Негатроника. Исторический обзор»

Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
6*10-4 . Применяется для защиты p-n-переходов полупроводниковых приборов, работающих при температурах до 200 С, а также в качестве адгезионного подслоя для эластичные заливочные ...
Применяется для герметизации полупроводниковых диодов и транзисторов....
Теория — Реферат
Введение Умение решать сложные научно-технические задачи ( основная функция современного инженера электронной техники. Научиться решать такие задачи ...
В основе работы большинства полупроводниковых приборов и активных элементов интегральных микросхем лежит использование свойств p-n-переходов.
1-е состояние: транзистор закрыт, его сопротивление равно бесконечности, ток через прибор прекращается и напряжение на нем Uк ( Ек ( это будет первая точка нагрузочной прямой ... ...
Министерство Российской Федерации по связи и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных ...
Рассматриваются принципы работы, характеристики и параметры полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов различной структуры.
Биполярным транзистором (БТ) называется трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, предназначенный для усиления электрических колебаний по ... ...
ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ 1. Особенности СВЧ микроэлектронных устройств В диапазон СВЧ микроэлектроника начала ...
Появились новые активные приборы, работающие в СВЧ диапазоне: диоды Ганна, лавиннопролетные диоды, СВЧ транзисторы, варакторы, туннельные и переключающие диоды и т. д. Эти приборы ...
К наиболее употребительным в настоящее время активным полупроводниковым элементам СВЧ можно отнести транзисторы и диоды с отрицательным сопротивлением разных типов....
КАЗАХСКО-АМЕРИКАНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭЛЕКТРОННЫЕ, КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Программа, методическое указание и контрольные задания (для ...
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.
Полупроводниковые приборы: транзисторы....
Введение Электронные, квантовые приборы и микроэлектронные изделия являются основой практически всех радиоэлектронных и коммуникационных устройств и ...
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.
Полупроводниковые приборы: транзисторы....
КАЗАХСКО-АМЕРИКАНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭЛЕКТРОННЫЕ, КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Программа, методическое указание и контрольные задания (для ...
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.
Полупроводниковые приборы: транзисторы....
... Государственный Технический Университет Кафедра физики РЕФЕРАТ на тему: "Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном ...
Таким образом, в режиме ОНОЗ для преобразования энергии источника питания в энергию СВЧ-колебаний используется отрицательная проводимость диода.
[pic], где [pic]-эквивалентное сопротивление нагрузки, пересчитанное к зажимам диода и равное модулю активного отрицательного сопротивления ЛПД....
Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме. Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована ...
В зависимости от параметров диода (степени и профиля легирования материала, длины и площади сечения образца и его температуры), а также от напряжения питания и свойств нагрузки ...
Большой интерес представляют разработки усилителей на диодах Ганна, особенно для миллиметрового диапазона длин волн, где применение СВЧ-транзисторов ограничено....
1. Зонная модель полупроводника. К полупроводникам (ПП) относятся вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное ...
Полупроводниковый диод (ПД) представляет собой 2х-электродный прибор, действие кот. основано на использовании эл-ских свойств p-n перехода или контакта металл-полупроводник.
Отсюда следует, что p-n переходы полупроводниковых диодов, работающих на высокой частоте должны обладать малой емкостью и малым сопротивлением базы....
ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ Автор: Терлецкая Л.И. (Ангарское Опытно Конструкторское Бюро Автоматики) Редакция текста: Шереметьев А.Н.(Ангарская ...
Третий период развития электроники - это период создания и внедрения дискретных полупроводниковых приборов, начавшийся с изобретения точечного транзистора.
Для p-n-p транзистора условие соответствует - положительному эмиттеру и отрицательному коллектору....
Содержание. Введение 1. Анализ возможности использования автодинов на полупроводниковых активных СВЧ-элементах для контроля параметров материалов и ...
При изменении уровня СВЧ-излучения, воздействующего на полупроводниковые элементы с отрицательным сопротивлением, наблюдается изменение постоянного тока, протекающего через них ...
Детекторный эффект наблюдается в СВЧ-усилителях на биполярных транзисторах, СВЧ-генераторах на лавинно-пролётных диодах (ЛПД), инжекционно-пролётных диодах (ИПД), туннельных диодах ... ...
Государственный комитет Российской Федерации по высшему образованию Саратовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. Н.Г ...
При изменении уровня СВЧ-излучения, воздействующего на полупроводниковые элементы с отрицательным сопротивлением, наблюдается изменение постоянного тока, протекающего через них ...
Детекторный эффект наблюдается в СВЧ-усилителях на биполярных транзисторах, СВЧ-генераторах на лавинно-пролётных диодах (ЛПД), инжекционно-пролётных диодах (ИПД), туннельных диодах ... ...
Реферат. Пояснительная записка дипломного проекта на тему: "Разработка фотоприемного устройства ВОСПИ диапазона ДЦВ." Содержит: 88 страниц 11 таблиц ...
U1(p) - напряжение на нагрузке ФД, т. е. комплексном сопротивлении по переменному току, действующему между базой входного транзистора и общим проводом.
Сопротивления напыляются, а полупроводниковые приборы и емкости выполняются навесными....
Машинная память — Дипломная работа
Машинная память Ульяновский государственный технический университет Кафедра: "Вычислительная техника" Введение Внедрение в практику техники ...
Для построения полупроводниковых ЗУ используются ИС на биполярных транзисторах и на полевых транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-транзисторы).
Очень часто транзистор сочетают с диодом Шотки....
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПАМЯТИ И ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ Информация и память Мозг и машина Основные характеристики, классификация и ...
Для построения полупроводниковых ЗУ используются ИС на биполярных транзисторах и на полевых транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-транзисторы).
Очень часто транзистор сочетают с диодом Шотки....
Введение Электронные усилители низкой частоты (УНЧ) предназначены для усиления сигналов переменного тока, частоты которых лежат в интервале от низкой ...
Физические свойства транзистора как усилительного элемента определяют низкое входное и высокое (при работе транзистора в активной области) выходное сопротивление усилительного ...
Браттейном и У. Шокли трех электродного полупроводникового усилительного элемента - транзистора, ставшего быстро вытеснять электронную лампу из радиотехнических устройств....
... Государственный Технический Университет Кафедра физики РЕФЕРАТ на тему: "Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном ...
В зависимости от параметров диода (степени и профиля легирования материала, длины и площади сечения образца и его температуры), а также от напряжения питания и свойств нагрузки ...
, где -эквивалентное сопротивление нагрузки, пересчитанное к зажимам диода и равное модулю активного отрицательного сопротивления ЛПД....
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА АВТОДИННОГО ДЕТЕКТИРОВАНИЯ В МНОГОКОНТУРНОМ ГЕНЕРАТОРЕ НА ДИОДЕ ГАННА Введение. В связи с развитием современных технологий ...
При изменении уровня СВЧ-излучения, воздействующего на полупроводниковые элементы с отрицательным сопротивлением, наблюдается изменение постоянного тока, протекающего через них ...
Детекторный эффект наблюдается в СВЧ-усилителях на биполярных транзисторах, СВЧ-генераторах на лавинно-пролётных диодах (ЛПД), инжекционно-пролётных диодах (ИПД), туннельных диодах ... ...
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru