Материалы, похожие на работу «Уолтер Хаузер Браттейн»

ОГЛАВЛЕНИЕ Введение Глава1. Сегодняшний день физики Глава2. Развитие физики в СССР и России Заключение Приложение 1. Лауреаты Нобелевской премии по ...
Шокли Уильям Брэдфорд(1910-1989), Бардин Джон(1908-1991), Браттейн Уолтер Хаузер(1902-1987), США.
Усовершенствование методов выращивания, очистки и обработки кристаллов кремния позволило Шокли осуществить создание транзистора на основе полевых эффектов....
ИСТОРИЯ РАЗВИТИЯ ЭЛЕКТРОНИКИ Автор: Терлецкая Л.И. (Ангарское Опытно Конструкторское Бюро Автоматики) Редакция текста: Шереметьев А.Н.(Ангарская ...
В 1946 году при лаборатории "Белл Телефон" была создана группа во главе с Уильямом Шокли, проводившая исследования свойств полупроводников на Кремнии (Sc) и Германии (Ge ...
Изобретение транзисторов явилось знаменательной вехой в истории развития электроники и поэтому его авторы Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям...
Новосибирский государственный технический университет Реферат по дисциплине концептуальные основы информатики. ТЕМА: Выдающиеся отечественные и ...
Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Бредфорд Шокли предложили использовать изобретённые ими стабильные переключающие полупроводниковые элементы-транзисторы.
Вильям Шокли начал мечтать о полупроводниковом усилителе десятилетием раньше, но ему ничего не удавалось сделать до тех пор, пока в 1945 году в лабораторию Белла не пришел ... ...
Министерство Российской Федерации по связи и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных ...
Рассматриваются принципы работы, характеристики и параметры полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов различной структуры.
В полевых транзисторах, управление потоком основных носителей заряда осуществляется в области полупроводника, называемой каналом, путем изменения его поперечного сечения с помощью ... ...
История физики: строение материи Горяев М.А. К середине 19 века атомно-молекулярная теория строения вещества заняла уже достаточно прочные позиции, и ...
В 1884-85 развил теорию образования кристаллов и исследовал законы симметрии, ввел понятие поверхностной энергии граней и сформулировал общий принцип роста кристаллов, предложил ...
В конце 40-х годов американские физики Джон Бардин (р.1908), Уолтер Браттейн (1902-1987) и Уильям Брэдфорд Шокли (1910-1989) построили первые полупроводниковые транзисторы ... ...
С физикой - от счетов к современным компьютерам Владимир Клиньшов Сегодня по физике лектор билеты давал к экзамену. Заходи ко мне - перепишешь - Это ...
Качественное изменение ЭВМ произошло после еще одного эпохального открытия физики - изобретения в 1947 году Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильямом Шокли полевого ...
Интегральная схема - это множество, от десятков до миллионов, транзисторов, размещенных на одном кристалле полупроводника....
Міністерство освіти і науки України Рівненський державний гуманітарний університет Кафедра загальної фізики Доповідь на тему: Виконав: студент V курсу ...
Работы группы американских ученых, сотрудников лаборатории "Белл телефон" Уильяма Брэдфорда Шокли, Джона Бардина и Уолтера Браттейна, связаны с исследованиями полупроводников.
1951 г. К концу 1952 г. были предложены плоскостной высокочастотный тетрод, полевой транзистор и другие типы полупроводниковых приборов....
Машинная память — Дипломная работа
Машинная память Ульяновский государственный технический университет Кафедра: "Вычислительная техника" Введение Внедрение в практику техники ...
Для построения полупроводниковых ЗУ используются ИС на биполярных транзисторах и на полевых транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-транзисторы).
Существуют транзисторы, в которых роль затвора играют контакт металл-полупроводник, структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) и т.д....
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПАМЯТИ И ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВАХ Информация и память Мозг и машина Основные характеристики, классификация и ...
Для построения полупроводниковых ЗУ используются ИС на биполярных транзисторах и на полевых транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МДП-транзисторы).
Существуют транзисторы, в которых роль затвора играют контакт металл-полупроводник, структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) и т.д....
Введение Электронные усилители низкой частоты (УНЧ) предназначены для усиления сигналов переменного тока, частоты которых лежат в интервале от низкой ...
Браттейном и У. Шокли трех электродного полупроводникового усилительного элемента - транзистора, ставшего быстро вытеснять электронную лампу из радиотехнических устройств.
В качестве активных элементов в настоящее время в усилителях чаще используются полевые или биполярные транзисторы, либо интегральные схемы....
Полупроводниковые приборы. Техника полупроводниковых приборов стала самостоятельной областью электроники. Замена электронных ламп полупроводниковыми ...
Полупроводниковые триоды, получившие названия транзисторов, предложили в 1948 г. американские ученые Бардин, Браттейн и Шокли.
Принципы работы полупроводниковых диодов и транзисторов связаны с тем, что в полупроводниках существует электропроводность двух видов....
ДОКЛАД "Полупропроводниковые приборы и электронные лампы" ученика 10 "Б" класса средней школы № 536 Капустникова Вячеслава -1998- -2- ПЛАН Стр. ДИОД ...
Изобретен в 1948 г. американцами У. Шокли, У. Браттейном и Дж.
Наиболее массовый транзистор представляет собой пластинку германия, кремния или другого полупроводника размером примерно 2 Х 2 мм, обладающего электронной (n - типа) или дырочной ... ...
2001г. Вопросы к контрольной работе. 1. Классическая структура ЭВМ 1-го поколения, ее характерные черты и недостатки. 2. Развитие структуры ЭВМ в ...
Физик-теоретик Джон Бардин и ведущий экспериментатор фирмы Уолтер Брайттен создали первый действующий транзистор.
Созданию транзистора предшествовала упорная, почти 10-летняя работа, которую еще в 1938 году начал физик теоретик Уильям Шокли....
Шокли Уильям — Доклад
Шокли Уильям Шокли (Chockley) Уильям Брэдфорд (1910, Лондон - 1989), американский физик. Труды по физике твердого тела и полупроводников. Работал в ...
В 1951 году Шокли представил первый трехслойный германиевый транзистор, выполнявший те же функции, что и электронная лампа, но имевший гораздо меньшие размеры, более того, он был ...
В 1955 году Шокли покинул Bell Telephone Laboratories и создал собственную фирму по производству полупроводников близ Пало-Альто....
МГАПИ Реферат по теме "Зарождение современных компьютерных роботов." Курс: 1 Группа: ТИ-7 (Б) Студент: Бобров С.В. Москва 2001. В 60-х годах 19-ого ...
Джон Бардин, Уолтер Брэттен и Уильям Шокли в 1956 году получили за него Нобелевскую премию по физике.
Уильям Шокли, как и другие ученые, занимался исследованиями полупроводников....
... высшему образованию Московский государственный открытый университет Реферат Электронные и микроэлектронные приборы Студента 2 курса заочного отделения ...
Величина потока (F3) на границе окисла с полупроводником зависит от постоянной K скорости поверхностной реакции и определяется как:
В цифровых ИМС практическое применение получили полевые транзисторы с оксидным диэлектриком, образующие контакт металл-оксид-полупроводник...
Жорес Иванович Алферов родился в Белоруссии, в Витебске, 15 марта 1930 г. Необычное имя - Жорес отец, старый большевик, дал ему в честь Жана Жореса ...
Вот тут-то и прозвучало новое слово - гетеропереход (контакт двух различных по своему химическому составу полупроводников).
В 1964 г. он впервые попал во Францию, на международную кон-ференцию по физике полупроводников....
Аннотация. В дипломном проекте рассмотрен электретный эффект в пленках фторопластата - 4 толщиной 10 мкм с односторонней металлизацией алюминием ...
Микроэлектроника успешно решает многие из этих проблем, это связывается с развитием физики твердого тела и полупроводников.
Полевой транзистор распаен на нижней стороне печатной платы (8). Электрический контакт металлизации на преобразователе с затвором транзистора осуществляется с помощью электрода 10....
Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС является неотъемлемой составной ...
Физико- математическую основу моделирования интегральных компонентов составляют фундаментальные уравнения переноса электронов и дырок в полупроводниках.
Например, для биполярного транзистора такой активной областью является база, для полевого -- канал....
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru