Материалы, похожие на работу «Компьютерное моделирование сенситометрических характеристик формирователей сигналов изображения»

Министерство Российской Федерации по связи и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных ...
В отличие от дырок положительные ионы прочно связаны с кристаллической решеткой основного полупроводника, являются неподвижными положительными зарядами и, следовательно, не могут ...
Поскольку потенциальные барьеры для дырок и электронов различны, при приложении к гетеропереходу прямого напряжения смещения он обеспечит эффективную инжекцию дырок из ... ...
ОРЕНБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КУРСОВАЯ РАБОТА ПО ТЕМЕ "Полимерные электреты, их свойства и применение". Выполнил: Гавренков ...
В местах, где полупроводник освещён, световые кванты генерируют носители заряда (явление внутреннего фотоэффекта) - электроны и дырки, которые, двигаясь в электрическом поле ...
Ловушками электронов и дырок могут служить дефекты кристаллической решетки - примесные атомы, вакансии и др., отдельные группы атомов, имеющие положительное сродство к электрону ... ...
Введение. Оптоэлектроника - это раздел электроники, связанный главным образом с изучением эффектов взаимодействия между электромагнитными волнами ...
Особый интерес представляют гетеропереходы между CdS и каким-либо более широкозонным полупроводником p-типа.
Гетеропереходы, изготовленные напылением Cu2S на CdS, имеют красную инжекционную люминесценцию, интенсивность которой линейно менялась с током....
ОРЕНБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПЕДАГОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ КУРСОВАЯ РАБОТА ПО ТЕМЕ "Полимерные электреты, их свойства и применение". Выполнил: Гавренков ...
В местах, где полупроводник освещён, световые кванты генерируют носители заряда (явление внутреннего фотоэффекта) - электроны и дырки, которые, двигаясь в электрическом поле ...
Ловушками электронов и дырок могут служить дефекты кристаллической решетки - примесные атомы, вакансии и др., отдельные группы атомов, имеющие положительное сродство к электрону ... ...
Физика (лучшее) — Реферат
Билет № 1 1. Всё что существует в природе называется материей. Любое изменение материи, любой процесс, происходящий в природе, называют движением ...
Если к диоду подключить источник тока, чтобы минус был соединён с полупроводником n-типа, а плюс - с полупроводником р-типа, то под действием внешнего электрического поля электроны ...
При замыкании цепи через гальванометр пойдет переменный ток и стрелка начнет колебаться около положения равновесия....
Солнечная энергетика Альтернативные и возобновляемые источники энергии, такие как энергия ветра и солнечного света, гидро- и геотермальная энергия, во ...
В результате возрастает плотность тока короткого замыкания благодаря отражающей способности металлической подложки и меньшему оптическому поглощению света легированными фосфором ...
Подобно CuInSe2, наилучшие элементы на основе CdTe включают гетеропереход с CdS в качестве оконного слоя....
Билет №1 1) Относительность механического движения. Система отсчёта. Сложение скоростей в классической и релятевиствской механике. Относительность ...
В идеальном полупроводниковом кристалле ток создается перемещением равного количества свободных электронов и дырок.
В полупроводник для улучшения проводимости иногда добавляются примеси, которые бывают донорные (увеличивают число электронов без увеличения числа дырок) и акцепторные (увеличивают ... ...
Билет №1 1) Относительность механического движения. Система отсчёта. Сложение скоростей в классической и релятевиствской механике. Относительность ...
В идеальном полупроводниковом кристалле ток создается перемещением равного количества свободных электронов и дырок.
В полупроводник для улучшения проводимости иногда добавляются примеси, которые бывают донорные (увеличивают число электронов без увеличения числа дырок) и акцепторные (увеличивают ... ...
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ОДЕССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. И.И. МЕЧНИКОВА Кафедра экспериментальной физики КОМПЬЮТЕРНОЕ ...
Целью данной работы является создание математической модели характеристической кривой и расчет основных сенситометрических характеристик (г-коэфициент контрастности и S ...
Механизмы протекания тока через эти барьеры, дополнительные по сравнению с p-n - переходом (туннельный и термоинжекционный) зависят от величины смещения на гетеропереходе ... ...
Свет из гетеропереходов Если говорить о пути от фундаментальных научных идей, основанных на сложных теоретических понятиях, до изобретений ...
Похожие по своей значимости перспективы возникли в той области физики полупроводников, которая изучает люминесценцию - излучательную рекомбинацию электронов и дырок.
Например, если в образце создан p-n переход, т.е. граница между областями с дырочной (p-) и электронной (n-) проводимостью, то при положительной полярности внешнего источника тока ... ...
1. Зонная модель полупроводника. К полупроводникам (ПП) относятся вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное ...
В рез. электроны и дырки начин. перемещ-ся вдоль кристалла - возникает эл. ток, кот. называется дрейфовым током.
Т.о. по структуре конструктивно получается, затвор - металлический слой, проводящий канал - полупроводник, изолятор - диэлектрик....
Билет №1 В основе МКТ строения лежат три утверждения: вещество состоит из частиц; эти частицы беспорядочно движутся; частицы взаимодействуют друг с ...
При коротком замыкании, когда R?0, сила тока в цепи определяется именно внутренним сопротивлением источника и при электродвижущей силе в несколько вольт может оказаться очень ...
Его называют дыркой....
Теория безопасности жизнедеятельности 1. Среда обитания человека. Среда обитания человека подразделяется на производственную и непроизводственную ...
Замыкание на землю - это случайное электрическое соединение находящихся под напряжением частей электроустановки с землей (контакт токоведущих частей с заземленным корпусом, падение ...
ЭМИ непосредственного воздействия на людей не оказывает, но влияет на любые проводящие ток конструкции ( ЛЭП, линии связи, металлические мосты, трубопроводы и т. п. ): происходит ... ...
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ МОЛДОВА Технический Университет Молдовы Факультет Радиоэлектроники Кафедра Телекоммуникаций Курсовая работа На ...
В фотодиодах оптическое излучение преобразуется в электрические сигналы за счет явления внутреннего фотоэффекта, при котором в области p-n- перехода полупроводника поглощаемый ...
Если теперь осветить фотодиод, то возникшие носители (электроны и дырки) ускоряются в этом поле и движутся в n-слой (электроны) и в p-слой (дырки)....
Содержание |Задание к дипломному проекту |2 | |Введение |6 | |1 |Электропитающие устройства АТС |9 | |1.1. |Электрические машины постоянного тока |9 ...
- короткого замыкания на выходе ВУТ иди повышения выпрямленного тока до
Кривые напряжений и токов двухполупериодного управляемого выпрямителя...
Аннотация. В дипломном проекте рассмотрен электретный эффект в пленках фторопластата - 4 толщиной 10 мкм с односторонней металлизацией алюминием ...
В образце, металлизированном лишь с одной стороны, сила со стороны поля направлена к электроду (имеется, правда небольшое притяжение к положительно заряженному слою), таким образом ...
Предполагалось, что внедренные при электретировании электроны захватываются глубокими ловушками, а с более мелких локальных уровней за счет флуктуаций теплового движения ... ...
Билет 1. Вопрос 1. Механическое движение. Относительность движения. Система отсчёта. Материальная точка. Траектория. Путь и перемещение. Мгновенная ...
p-n-Контакт полупроводников, подобно вакуумному диоду, обладает односторонней проводимостью: если к p-области подключить "+" источника тока, а к n-области "-" источника тока, то ...
Если рядом расположить две катушки (например, на общем сердечнике или одну катушку внутри другой) и одну катушку через ключ соединить с источником тока, то при замыкании или ... ...
Фоторезисторы — Реферат
Фоторезисторы Введение Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках В современной электронной технике широко используются ...
Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках
Поскольку основным следствием поглощения энергии света в полупроводнике является перевод электронов из валентной зоны в зону проводимости, т.е. междузонный переход, то энергия ...
... волна, которую нужно зарегистрировать, падает на кристалл и поглощается им, возбуждая при этом электроны в зону проводимости (или в полупроводниках p-типа - дырки в валентную зону) ... ...
Билет № 1 Механическое движение тела- изменение его положения в пространстве относительно других тел. Основная задача механики- определять положение ...
Если электрического поля в кристалле нет, то перемещение дырок происходит беспорядочно, электрический ток не создается.
Проводимость полупроводников, обусловленную наличием дырок, называют дырочной проводимостью....
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru