Материалы, похожие на работу «Свет из гетеропереходов»

1 - Материалы оптоэлектроники. Полупроводниковые светоизлучающие структуры. 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ. 1.1. Предмет оптоэлектроники ...
ние светоизлучающие диоды, полупроводниковые фотоприёмники, уст-
зультате рекомбинации дырок с инжектированными через pn-переход...
Оптоэлектроника. Полупроводниковые светоизлучающие структуры. 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ. 1.1. Предмет оптоэлектроники. Оптоэлектроника ...
В первых излучение появляется в результате рекомбинации дырок с инжектированными через pn-переход электронами.
В зависимости от материала диода и примесей в нём меняется цвет генерируемого излучения: красный, жёлтый, зелёный, синий (соединения галия с фосфором и азотом, кремния с углеродом ... ...
Свет из гетеропереходов Если говорить о пути от фундаментальных научных идей, основанных на сложных теоретических понятиях, до изобретений ...
Энергетическая диаграмма обычного (гомогенного) p-n перехода в полупроводнике при прямом смещении U. Черными стрелками показана инжекция электронов и дырок; цветными - рекомбинация ...
Энергетическая диаграмма p-n гетероструктуры типа InGaN/AlGaN/GaN при прямом смещении U. Черными стрелками показана инжекция электронов и дырок в активную область p-n ... ...
Министерство Российской Федерации по связи и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных ...
Wn = 0,67 эВ) в состоянии равновесия (U = 0). При контакте полупроводников происходит перераспределение носителей зарядов, приводящее к выравниванию уровней Ферми p- и n-областей и ...
Особенность работы p-i-n диода состоит в том, что при прямом напряжении одновременно происходит инжекция дырок из p-области и электронов из n-области в i-область....
Введение 1. Принципы волоконно-оптической гироскопии 1.1. Основные характеристики ВОГ 1.2. Принцип взаимности и регистрация фазы в ВОГ 1.3. Модель ...
При конструировании волоконных оптических гироскопов, как правило, в качестве излучателей используют полупроводниковые лазеры (лазерные диоды ЛД), светодиоды (СД) и ...
При переходах электронов из зоны проводимости в валентную зону возникает индуцированное излучение, т. е. процесс индуцированного перехода сопровождается излучательной рекомбинацией ... ...
Лазерное излучение в биологических исследованиях. Введение В настоящее время в большинстве стран мира наблюдается интенсивное внедрение лазерного ...
В них процессы излучения квантов преобладают над процессами поглощения.
Эти явления обусловлены фоторождением носителей заряда - электронов проводимости и дырок....
... лазера |7 | |Физико-химические оснесковы взаимодействия |12 | |низкоэнергетичого лазерного излучения с биообъектом | |Механизм терапевтического д
Эти явления обусловлены фоторождением носителей заряда - электронов проводимости и дырок.
Расходимость луча твердотельных лазеров - около 30 угловых минут (> 10 мрад). у полупроводниковых лазеров: в плоскости, параллельной p-n - перехода - от 10 до 20 градусов (в ... ...
- 3 - _ГЛАВА 1. _я21.Применяемые обозначения. Некоторые формулы, связывающие я2перечисленные величины. 2Электромагнитная теория E - напряженность ...
линейки из полупроводниковых светодиодов, а можно записывать
электронов и дырок не совпадают, как в равновесном состоянии....
1. Зонная модель полупроводника. К полупроводникам (ПП) относятся вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное ...
Возвращение возбужденных электронов из зоны проводимости в валентную зону, в рез. которого пара носителей заряда электрон-дырка исчезает, называют рекомбинацией.
Полупроводниковый диод (ПД) представляет собой 2х-электродный прибор, действие кот. основано на использовании эл-ских свойств p-n перехода или контакта металл-полупроводник....
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) |[pic] |Факультет КИБЕРНЕТИКИ ...
Элементная база современных информационных систем построена на лампах, транзисторах, лазерах, фотоэлементах, являющихся классическими, в том смысле, что их внешние параметры (токи ...
Волновая функция квантовых состояний двухуровневой системы - квантового бита, получившего в дальнейшем название кубита (quantum bit или qubit), может представлять собой ... ...
... университет) ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Конспект лекций Москва, 2002 г. Содержание Лекция 1 4 1. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ 4
Следует отметить, то это соотношение выполняется не только для полупроводников с собственной проводимостью, но и для легированных кристаллов, в которых концентрация электронов не ...
. кристалл является квантовой системой, поэтому поведение всех находящихся в нем электроновдырок) подчиняется закономерностям квантовой механики, т.е. как локализованные...
... Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по дисциплине "Технология производства полупроводниковых ...
Применяется для герметизации полупроводниковых диодов и транзисторов.
Для защиты полупроводниковых приборов функциональные поверхности активных элементов p-n-переходов защищают слоем стекла, который связывает мигрирующие ионы, улучшает надежность ... ...
КАЗАХСКО-АМЕРИКАНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭЛЕКТРОННЫЕ, КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Программа, методическое указание и контрольные задания (для ...
Обратите внимание на способы улучшения параметров интегрального n-p-n транзистора, в частности, введение скрытого n-слоя.
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода....
Введение Электронные, квантовые приборы и микроэлектронные изделия являются основой практически всех радиоэлектронных и коммуникационных устройств и ...
Обратите внимание на способы улучшения параметров интегрального n-p-n транзистора, в частности, введение скрытого n-слоя.
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода....
КАЗАХСКО-АМЕРИКАНСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ЭЛЕКТРОННЫЕ, КВАНТОВЫЕ ПРИБОРЫ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Программа, методическое указание и контрольные задания (для ...
Обратите внимание на способы улучшения параметров интегрального n-p-n транзистора, в частности, введение скрытого n-слоя.
Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода....
KLAIP?DOS UNIVERSITETAS GAMTOS IR MATEMATIK? MOKSL? FAKULTETAS FIZIKOS KATEDRA Referatas Lazeriniai spausdintuvai (Лазерные принтеры) Pareng?: II ...
Дырка соответственно перемещается от "верхней" молекулы к молекуле из "второго" слоя.
В соединенных вместе кусочках полупроводников n и p-типа ближайшие к границе электроны будут переходить из n-области в p-область, а ближайшие дырки - навстречу им, из p-области в n ... ...
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ Кафедра технологии и оборудования сварочного ...
К фотонному (квантовому) ионизирующему излучению относятся гамма-излучение, возникающее при изменении энергетического состояния атомных ядер или аннигиляции частиц, тормозное ...
1s2 - состояние, характерное для атома гелия), электроны начнут застраивать уровень L (n = 2), затем M - уровень (n=3). При данном n электроны должны застраивать сначала s-, затем ... ...
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ОДЕССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ им. И.И. МЕЧНИКОВА Кафедра экспериментальной физики КОМПЬЮТЕРНОЕ ...
В неидеальных гетеропереходах наблюдается большой набор различных эффектов и явлений, связанных с различными свойствами полупроводников по обе стороны границы, а также с появлением ...
При фотовозбуждении квантами из области собственного поглощения сульфида кадмия появляются неравновесные электроны и дырки (переходы 1). Электроны удаляются полем барьера в объем ... ...
Билет № 1 Механическое движение тела- изменение его положения в пространстве относительно других тел. Основная задача механики- определять положение ...
Основными носителями заряда в полупроводнике p-типа являются дырки, а неосновными - электроны.
Полупроводниковый диод- прибор, в котором используется один p-n переход....
©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru