1. • Шпаргалка: Выращивание профильных монокристаллов кремния методом ...
  2. • Роль плавления в структурообразовании: аналоговый ...
  3. • Моделирование процессов переработки пластмасс
  4. • Курсовая: Оценка условий кристаллизации ареального вулканизма ...
  5. • Оборудование для ориентации полупроводниковых пластин
  6. • Свойства арсенида индия
  7. • Монокристаллический кремень
  8. • Авторский материал: Нуклонный "веполь" - новое состояние материи и ...
  9. • Явление политипизма и методы получения различных политипов в ...
  10. • Технология получения монокристаллического Si
  11. • Авторский материал: Об одном способе экспериментального определения ...
  12. • Лабораторные по проектированию РЭС
  13. • Кремний, полученный с использованием геттерирования расплава
  14. • Кремний, полученный с использованием "геттерирования ...
  15. • Расчет времени откачки распределенных вакуумных систем
  16. • Расчет апериодического каскада усилительного устройства
  17. • Технология производства полупроводниковых материалов типа ...
  18. • Химическая и радиационная стойкость керамики
  19. • Определение поверхностного натяжения методом максимального ...

Шпаргалка: Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова

Кабардино – Балкарский Государственный Университет

Курсовая работа

Тема: “Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова.”

Выполнил: Ульбашев А.А.

Проверил:

Нальчик 2000г.

Задание.

1.Описать Метод.

а - Теоретические основы формообразования.

б - Технологические особенности.

в - Конструктивные особенности.

2.Область применения ПРОФИЛЬНО выращенных  Монокристаллов.

3.Расмотреть на примере кремния.

           

КВАЗИРАВНОВЕСНАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ

С ФОРМООБРАЗОВАНИЕМ МЕНИСКА РАСПЛАВА

(СПОСОБ СТЕПАНОВА)

a Теоретические основы формообразования.

Принципиальная основа и методика получения фасонных изделий из металлов и полупроводников с использованием различных эффектов (сил поверхностного натяжения, тяжести, электромагнитного взаимодействия, гидродинамических явлений и т.п.), формирующих мениск расплава в процессе вытягивания кристалла, разработаны чл.-корр. АН СССР А. В. Степановым'.

Жидкость может принимать определенную форму не только с помощью стенок сосуда, но и вне сосуда, в свободном состоянии. На этом основано формообразование профилированных кристаллов, принцип которого сформулирован А. В. Степановым : форма или элемент формы, которую желательно получить, создается в жидком состоянии за счет различных эффектов, позволяющих жидкости сохранить форму; сформированный так объем жидкости переводится в твердое состояние в результате подбора определенных условий кристаллизации.

А. В. Степанов предложил, например, формировать мениск при помощи специальных формообразователей. помещаемых в расплав так, чтобы мениск расплава приподнимался над щелью в поплавке, лежащем на поверхности расплава в тигле и изготовленном из материала, не смачиваемого расплавом. Для формообразования мениска можно применять также электромагнитное поле высокочастотного индуктора.

Таким образом, формообразующее устройство в общем случае представляет собой довольно сложный комплекс элементов. Оно позволяет управлять формой, геометрией, тепловым состоянием столба расплава и вытягиваемого кристалла, а также распределением примеси в кристалле. Твердый формообразователь характеризуется физическими свойствами материала, из которого он изготовлен (его смачиваемостью, плотностью, теплопроводностью, теплоемкостью), а также конфигурацией (форма отверстия или щели, глубина отверстия, форма. отверстия по глубине).

В теории вытягивания кристаллов по способу Степанова предполагается  условие:

* сумма потоков тепла, выделяющегося при затвердевании расплава, и тепла, поступающего к фронту кристаллизации из жидкой фазы, равна потоку тепла, отводящемуся от фронта. кристаллизации через твердую фазу.

           

Данное условие нужно для устойчивого роста кристалла с сохранением габаритов его поперечного сечения, угол сопряжения жидкой фазы с поверхностью растущего кристалла a  является одной из важных капиллярных характеристик, определяющих процесс роста и формообразования кристалла. Таким образом, форма поперечного сечения кристалла зависит от тепловых и капиллярных условий процесса.

Выращивание профильных монокристаллов кремния методом Степанова

©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru