1. • Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении ...
  2. • Проектирование цепей коррекции, согласования и фильтрации ...
  3. • Проектирование цепей коррекции, согласования и фильтрации ...
  4. • Усилители мощности телевизионного вещания
  5. • Проектирование усилителя мощности на основе ОУ
  6. • Усилитель мощности системы поиска нелинейностей
  7. • Усилитель мощности системы поиска нелинейностей
  8. • Отчет по УИР. Телевизионные усилители
  9. • Курсовая: Усилитель мощности 1-5 каналов ТВ
  10. • Широкополосный усилитель мощности
  11. • Курсовая: Усилитель мощности системы поиска нелинейностей
  12. • Модуль АФАР
  13. • ШИРОКОПОЛОСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ КАЛИБРОВКИ РАДИОВЕЩАТЕЛЬНЫХ СТАНЦИЙ
  14. • Расчёт усилителя звуковой частоты
  15. • Широкополосный усилитель мощности
  16. • Усилитель мощности на дискретных элементах
  17. • Усилитель мощности
  18. • Усилитель мощности 1-5 каналов ТВ
  19. • Курсовая: Усилитель приёмного блока широкополосного локатора

Реферат: Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности

смотреть на рефераты похожие на "Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности"

ВПУ-313.

Предмет: Проектирование РЭА.
Группа: РА-6.

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ.

На тему: Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении схемы усилителя мощности.

Учащегося: Короткова Е. В.

Преподаватель:

Даниелян В.С.

Дата выдачи задания:

Дата окончания проектирования:

Москва 1997г.

Схема усилителя мощности.

[pic]

Эта схема представляет собой усилитель мощности на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ. Переходной конденсатор C1 пропускает во входную цепь переменную составляющую напряжения источника сигнала и не пропускает постоянную составляющую. Блокирующий конденсатор C2 шунтирует резистор R4 по переменному току, исключая тем самым отрицательную обратную связь по переменным составляющим. Отсутствие конденсатора C2 привело бы к уменьшению усиления каскада. В области низших частот на работу усилителя оказывают влияние переходной и блокирующий конденсаторы, в области высших частот – частотная зависимость коэффициента тока базы, коллекторная емкость и емкость нагрузки.

Описание элементов.

Резисторы:

|R1 = 2200 Ом |(l = 100 мкм |((s = 0,4% |
|R2 = 480 Ом |(b = 100 мкм |(sопт = 300 Ом /( |
|R3 = 4500 Ом |(R1 = 10% |P1 = 50 мВт |
|R4 = 120 Ом |(R2 = 0,9% |P2 = 25 мВт |
|h = 100 мкм |(R3 = 7,2% |P3 = 7 мВт |
|bтехн = 100 мкм |(R4 = 0,9% |P4 = 25 мВт |


Конденсаторы:

|С1 = 80 пф |( = 5,2 |Tmax = 60 (C |
|С2 = 2200 пф |tg( = 0,002 |(c = 3% |
|Uраб = 10 в |Кз = 3 |(l = 25 мкм |
|Со = 20 пф/мм*мм | | |

Выбор метода изготовления тонкопленочной ГИМС.


Исходя из данных видно, что погрешность изготовления резисторов и конденсаторов не более 10%. Для изготовления схемы усилителя мощности выбираем метод фотолитографии, т. к. этот метод дает более высокую точность изготовления ГИМС и более высокий процент выхода годных изделий при серийном и крупносерийном производстве.

Расчет конденсаторов.


1. Выбор материала диэлектрика.

Выбор материала диэлектрика производят по таблице 3, исходя из исходных данных.

Для C1 – электровакуумное стекло C 41 - 1.

Для C2 – электровакуумное стекло C 41 - 1.

Материалом обкладок для этих конденсаторов будет Al.

2. Определение уточненной толщины диэлектрика.

d=0,0885*(/Co d=0,02301 мм

3. Определение площади перекрытия обкладок конденсаторов.

S=C/Co*Кз

SС1=20 мм*мм

SС2=550 мм*мм

4. Определение размеров обкладок конденсаторов.

Размеры верхних обкладок конденсаторов будут равны:

__ lв.о.= bв.о.=( S lв.о.С1= bв.о.С1=4,472 мм lв.о.С2= bв.о.С2=23,452 мм

Размеры нижних обкладок конденсаторов, с учетом допусков на перекрытие, будут равны:

lн.о.=bн.о.= lв.о.+2((l+g) lн.о.С1=bн.о.С1=4,922 мм lн.о.С2=bн.о.С2=23,902 мм

5. Определение размеров межслойного диэлектрика.

lд/э= bд/э =lн.о.+ 2((l+f) lд/э С1=bд/э С1=5,372 мм lд/э С2=bд/э С2=24,352 мм

6. Определение площади, занимаемой конденсаторами, по размерам диэлектрика.

S = lд/э* bд/э

SС1 = 28,858 мм*мм

SС2 = 593.0199 мм*мм

Расчет резисторов.


1. Выбор материала резистивной пленки.

Для R1 - нихром X20H80.

Для R2 - нихром X20H80.

Для R3 - нихром X20H80.

Для R2 - нихром X20H80.

Проверим, правильно ли выбран материал резистивного слоя.

(ф = (R/R*100 - ((s/(s*100;

(ф1 = 0,3212

(ф2 = 0,0542

(ф3 = 0,0267

(ф4 = 0,6167

Резистивный материал выбран верно т.к. (ф1; ( ф 2; ( ф 3; ( ф 4 > 0

Вкачестве материала контактных площадок используем Cu.

2. Определение коэффициента формы резисторов.

Коэффициент формы определяется по формуле: Kф=[pic];

Кф1 = 7,3

Кф2 = 1,6

Кф3 = 15

Кф4 = 0,4

3. Определение конструкции резисторов по величине коэффициента формы.

Для R1 - Форма прямоугольная, т.к. 1 ( Кф ( 10

Для R2 - Форма прямоугольная, т.к. 1 ( Кф ( 10

Для R3 - Форма составной меандр, т.к. 10 ( Кф ( 50

Для R4 - Форма прямоугольная, т.к. Кф < 1, но получается, что ширина > длины


4. Определение ширины резисторов.

Рассчёт точной ширины резисторов производится по формуле:

bточн= ((l/Кф+(b)/(ф;

Рассчёт ширины резисторов с учетом их мощности:

bр= [pic];

Для R1 - bр = 0,58 мм

Для R2 - bр = 0,88 мм

Для R3 - bр = 0,15 мм

Для R4 - bр = 1,76 мм
Для R1 - bточн = 0,8849 мм
Для R2 - bточн = 4,9 мм
Для R3 - bточн = 9,9875 мм
Для R4 - bточн = 1,4188 мм

Выбираем из всех значений ширины сопротивления максимальное значение:

R1 max [ bтехн=0.1мм bточн=0,88 мм bp=0,58 мм] b1=0,88 мм

R2 max [ bтехн=0.1мм bточн=4,9 мм bp=0,88 мм] b2=4,9 мм

R3 max [ bтехн=0.1мм bточн=9,98 мм bp=0,15 мм] b3=9,98 мм

R4 max [ bтехн=0.1мм bточн=1,41 мм bp=1,76 мм] b4=1,76 мм

Расчет длины резисторов.

Расчетная длина резистора определяется как: Lрасч = b*Kф;

Полная длина резистора определяется как: Lполн = Lрасч +2h;

Lрасч R1 = 6,424 мм

Lрасч R2 = 7,84 мм

Lрасч R3 = 149,7 мм

Lрасч R4 = 0,704 мм


Lполн R1 = 6,624 мм
Lполн R2 = 8,04 мм
Lполн R3 = 149,9 мм
Lполн R4 = 0,904 мм

5. Расчет площади резисторов.

S = Lполн * b

SR1 = 5,829 мм*мм

SR2 = 39,396 мм*мм

SR3 = 1496 мм*мм

SR4 = 1,59 мм*мм


Все полученные значения резисторов приведены в таблице:


|Резистор |Номинал |Материал |Размеры |Размеры |Размеры |Коэф. |
| | |Резистора |b, мм |l, мм |S, мм*мм |формы |
|R1 |2,2 кОм |X20H80 |0,88 |6,624 |5,83 |7,3 |
|R2 |480 Ом |X20H80 |4,9 |8,04 |39,39 |1,6 |
|R3 |4,5 кОм |X20H80 |9,98 |149,9 |1496 |15 |
|R4 |120 Ом |X20H80 |1,76 |0,904 |1,59 |0,4 |

Расчет площади поверхности.


1. Площадь подложки расчитывается по формуле:

Sподл.= KS[pic];

S(R = R1+R2+R3+R4

S(R = 1542,81 мм*мм

S(C = C1+C2

S(C = 621,87 мм*мм

S(КП = 48 мм*мм

S(Н.Э.= 120 мм*мм

При KS = 2 получается:

Sподл.= 2332,68 мм*мм

Sфакт.подл.= 45 * 52 = 2340 мм*мм


©2007—2016 Пуск!by | По вопросам сотрудничества обращайтесь в contextus@mail.ru